Infineonがノーマリオフ対応SiC JFET、AIデータセンター向け：26年中に量産開始

インフィニオン テクノロジーズは、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

TO-247-4パッケージで定格電圧1200VのCoolSiC JFETも投入

　インフィニオン テクノロジーズは2026年6月、AIデータセンターや産業用途に向け、ノーマリオフ対応品やパッケージオプションなど「CoolSiC JFET」の製品群を拡充すると発表した。新製品は2026年中にも量産を始める予定だ。

　同社はDC遮断用途を視野に入れ、絶縁破壊電界強度が高くバンドギャップが広い炭化ケイ素（SiC） を用いた接合型電界効果トランジスタ（JFET）「CoolSiC JFET」を開発した。2025年に発表したQ-DPAKパッケージの定格電圧750V品および1200V品は、量産段階に移行している。オン抵抗は750V品が最小1.6mΩ、1200V品が最小2.3mΩを実現している。

　今回は、TO-247-4パッケージを用いた定格電圧1200VのCoolSiC JFETを新たに追加した。オン抵抗は最小5.0mΩ。実装基板を再設計することなく標準的なスルーホールパッケージを用いた既存のSiC MOSFETと置き換えが可能だという。

　また、ノーマリオフ構成のCoolSiC JFETも用意した。CoolSiC JFETと同社製Si MOSFET「OptiMOS」を単一パッケージに集積している。デュアルドライブ構成では、SiC JFETとSi MOSFETのゲートへ個別にアクセスすることが可能だ。ゲートソース間電圧（V_GS）2Vでのオーバードライブ動作に対応し、オン抵抗を約10％低減できるという。

　カスコード構成ではSiC JFETのゲートを内部結合し、MOSFETゲートを外部から制御する。これにより、プラグアンドプレイ動作が可能となり、専用回路を不要にした。

CoolSiC JFET製品群の外観［クリックで拡大］ 出所：インフィニオン