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AI需要が材料／部品に波及　NVIDIA創業者CEOが辞任：5分で分かる！今週のエレクトロニクス業界（2/2 ページ）

» 2026年11月14日 09時00分公開

[EE Times Japan]

300mm SiCウエハーでパワー半導体、Infineonが実物を初公開

　Infineon Technologiesは「electronica 2026」（2026年11月10～13日、ドイツ・ミュンヘン）で、パワーデバイスを形成した300mm（12インチ）の炭化ケイ素（SiC）ウエハーの実物を初公開しました。フルスケールの半導体製造工場で300mm SiCウエハーを用いたパワーデバイスを製造したのは「世界初」（同社）としています。

1200V縦型GaNで800V→6V、AIデータセンター向け電源

　onsemiは「electronica 2026」で、1200V耐圧の縦型GaNパワーデバイスを採用した20kW級IBCの試作機を展示しました。800Vの直流入力を6Vに直接変換するもので、AIデータセンターの高電圧直流給電への対応を想定しています。同社は縦型GaNについて、市販の横型GaNデバイスと比較してチップサイズを約3分の1に縮小できると説明。高周波動作による受動部品の小型化や、電力変換損失の低減も利点として挙げています。

NVIDIA創業者のJensen Huang氏が辞任　不倫関係の報道も

　NVIDIAは2026年11月12日（米国時間）、同社の共同創業者でCEOを務めるJensen Huang氏が辞任したと発表しました。Huang氏を巡っては、中国の情報機関との関係が疑われる女性との不倫関係が報じられ、取締役会が独立調査を開始していました。後任の暫定CEOには、エグゼクティブバイスプレジデント兼最高財務責任者（CFO）のColette Kress氏が就任します。

レゾナックはなぜ「今」300mm SiC基板を開発したのか
レゾナックは、300mmの炭化ケイ素（SiC）単結晶基板の開発に成功した。ただし、SiCパワー半導体では現在、150mmから200mmへの移行が進んでいる段階だ。なぜ、このタイミングで300mm品を開発したのか。開発の狙いや技術的な課題、今後の市場展望、海外メーカーとの競争について、同社の担当者に聞いた。
Infineon初のRISC-V車載マイコン、その実力と開発戦略を聞いた
Infineon Technologies（以下、Infineon）が、同社初となるRISC-V採用車載マイコンを開発し、2027年上半期にサンプル出荷する。EE Times Japanは、同社で車載MCU事業を統括するThomas Boehm氏にインタビューを実施。その開発背景や技術的な特徴、今後の製品戦略などを聞いた。
ソニー半導体は2Q過去最高益、スマホ市場2割減も増益確保
ソニーグループのイメージング＆センシング・ソリューション（I＆SS）分野の2026年度第2四半期（2026年7～9月）業績は、売上高が前年同期比6％減の5776億円、営業利益が同12％増の1546億円となった。モバイル向けイメージセンサーの販売数量減少などで減収となった一方、為替の好影響などによって第2四半期として過去最高益を更新した。
Qualcommとの特許係争で「完敗」続きのArm　両社の狙いは何か
長く続いているArmとQualcommの訴訟合戦は、今のところArmの「完全敗訴」が続いている。2026年10月13日の結審した裁判についてはArmが米国EE Timesにコメントを掲載しているが、ちょっと苦しい部分もある。今回は、EE Timesに掲載されたArmの言い分と、QualcommとArm、それぞれの目的を解説してみたい。
光技術で「賭けに出た」Marvell　Lumentum買収で
Marvell Technologyは2026年11月、光部品メーカーLumentumを買収することで合意したと発表した。1150億米ドルという超大型案件に、業界関係者からは「Marvellにとって金銭的負担が大き過ぎる」との声も出ているが、光電融合分野に対し「賭けに出た」同社の姿勢が伺える。