1GビットPRAMの開発に遅れ、Numonyxはいまだにサンプル出荷もできず：メモリ/ストレージ技術

[Peter Clarke，EE Times]

　不揮発メモリーを手掛けるスイスのNumonyx社（米Micron Technology社が買収）は、顧客が長らく待ち望んでいる記録容量1Gビットの相変化メモリー（PRAM）の開発に手間取っているようだ。いまだにサンプル出荷もできていない。Numonyx社は、2010年内にサンプル出荷を始め、2011年には量産を始める予定だとしている。

　1GビットのPRAMが登場すれば、PRAMはフラッシュ・メモリーよりもさらに大容量化が可能なメモリーだと位置づけられる可能性がある。一方で、開発が遅れれば相変化メモリーは量産が困難なのではないかという疑念を抱かせてしまう。あるいは、Micron Technology社がNumonyx社を買収したことで、同技術がNumonyx社の中でも重要なものではなくなりつつあるのではないかという憶測が生まれてしまう。

　Numonyx社は、90nm製造技術を適用した128Mビットの相変化メモリーのサンプル出荷を2008年から続けており、つい最近、新製品を発表したばかりだ。

　同社は、次の製品では65nm製造技術を飛び越えて45nm製造技術に移行する計画だ。しかし、その計画は遅れている。45nm製造技術を適用したサンプル品は、2009年に出荷が始まる見込みだったが、2009年12月7日〜9日に開催された半導体関連の学会「2009 IEEE International Electron Devices Meeting（IEDM 2009）」で同社は、当初予定していたサンプル出荷のスケジュールが変わったことを明らかにした。同社で技術開発部門のバイス・プレジデントを務めるPaolo Cappelletti氏は、EE Timesに対して「ここに展示しているチップは完全に仕様通りに動作する。2010年には量産に入る予定で、サンプル出荷は2010年の第1四半期の予定だ」と語った。

　もう少しで携帯電話機向け製品の検証が終わる

　相変化メモリー担当ビジネス・ディベロップメント・マネジャーを務めるCliff Smith氏は、「（45nm製造技術を適用した1Gビット品の）サンプル品は、社内にはあり、きちんと動作している。もう少しで検証が終わるというところだ。この製品は携帯電話機への導入を狙ったものだ。産業機器向け製品の検証が終わるのは、6カ月ほど後になる」と述べている。

　ほかの重役は、45nm製造技術を適用した1Gビット品は、完成までに予想よりもやや長くかかっていると認めている。ある情報筋は「サンプル出荷は2010年中に始まる。45nm製造技術を利用した量産について論じるのは2011年になるだろう」と述べている。

　しかしその頃までには、Numonyx社は韓国のSamsung Electronics社に、優位な立場を奪われているかもしれない。Samsung Electronics社は、2009年9月に、携帯電話機やそのほかの電池で駆動する装置への導入を目指した512Mビットの相変化メモリーの生産を60nm製造技術で開始しているからだ。