画素が1.12μmと小さい裏面照射CMOSイメージセンサーを東芝が開発、スマートフォンなど向けに年内量産：センシング技術 イメージセンサー

裏面照射型は、入射した光が配線層で減衰しないように、CMOSイメージセンサーの裏面に受光部を設ける構造で、画素を縮小しても感度の低下が起きにくい。動画撮影にも適するので、東芝はデジタルカメラやスマートフォン、タブレットPCなどの高画質センサーとして今後、このタイプが主流になると見込む。

[薩川格広，EE Times Japan]

　東芝は、画素寸法が1.12μm角と小さい裏面照射（BSI：Back Side Illumination）型CMOSイメージセンサーを開発した。2011年7月下旬にサンプル出荷を始め、年末から量産を開始する計画だ。高機能携帯電話機に向ける。

　BSI型は、入射した光が配線層で減衰しないように、CMOSイメージセンサーの裏面に受光部を設ける構造だ。受光部と配線層を形成した後で、基板の裏面を削って受光部に近接してレンズを取り付ける。画素寸法を縮小しても感度の低下を避けられるというメリットがある。従来構造に比べ感度を高められることから動画撮影にも適しており、東芝はデジタルカメラやスマートフォン、タブレットPCなどの高画質センサーとして今後、BSI型が主流になると見込む。

　開発品の主な仕様は以下の通り。光学フォーマットは1/4インチ。画素数は808万画素。フレームレートは、800万画素時が30フレーム/秒、1080pおよび720p対応時が60フレーム/秒である。

画素寸法が1.12μm角と小さい裏面照射型CMOSイメージセンサー。出典：東芝