メディア

2020年、5nm世代でEUV時代が到来か：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV（極端紫外線）に関わる展望について紹介します。

» 2016年12月12日 11時30分公開

[EDN Japan]

2020年、5nm世代でEUV時代が到来か

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、ASMLのEUV（極端紫外線）に関わる展望について紹介します。

2020年、5nm世代でEUV時代が到来か

ASMLは2016年4～6月にEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置を4台受注し、2017年には12台を販売する計画を明かした。これを受けて業界では、EUV装置によるチップ量産が、5nmプロセス世代での製造が見込まれる2020年に「始まるかも」との期待感が広がっている。【著：Rick Merritt】

・ブックレットは無料でお読みいただけますが、電子機器設計／組み込み開発メールマガジンの購読登録が必要です。
・電子ブックレットはPDFファイルで作成されています。
・電子ブックレット内の記事は、基本的に記事掲載時点の情報で記述されています。そのため一部時制や固有名詞などが現状にそぐわない可能性がございますので、ご了承ください。

進む7nmプロセスの開発、TSMCとIBMが成果を発表
米サンフランシスコで開催された「IEDM 2016」では、TSMCとIBMがそれぞれ最新プロセス技術について発表し、会場を大いに沸かせたようだ。
ムーアの法則の“新たな意味”とは
台湾半導体産業協会の専門家は、今後ムーアの法則は、「半導体の集積率の向上」というよりも、より実質的な意味を持つようになると指摘する。3次元構造やTSMCの「InFO」のようなパッケージング技術によって性能の向上を図っていくというものである。
次世代Snapdragon、Samsungの10nmプロセスを適用
Qualcommは、同社のSoC（System on Chip）「Snapdragon 835」に、Samsung Electronicsの10nmプロセスを適用すると発表した。QualcommはSamsungとの間で、ファウンドリー契約を10年延長している。
ASML、次世代EUV装置に19億米ドルを投資
半導体製造装置メーカーのASMLは、2017年出荷予定の第1世代EUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の後継となる次世代EUV装置の開発計画を明らかにした。2024年ごろの量産を目指し、約19億米ドルの投資を行うという。
7nmプロセス開発、ファウンドリー間の競争激化
2016年12月に米国で開催される、最先端電子デバイスの研究開発に関する国際学会「IEDM 2016」で、TSMCが7nmプロセスに関する発表を行う。7nmプロセスの研究開発では、TSMC、GLOBALFOUNDRIES（GF）、Samsung Electronics（サムスン電子）が火花を散らしている。
EUV光源で「世界最高水準」の発光効率5％を実現
ギガフォトンは、開発中の極端紫外線（EUV）スキャナー用レーザー生成プラズマ（LPP）光源における、半導体量産ラインでの稼働を想定したパイロット光源が完成し、出力105Wの安全運転と、発光効率5％を実現した。最先端半導体製造ラインの実現に向けて大きく前進したという。