SiC/GaNパワー半導体の容量測定を自動化 : 高電圧C-V測定システム
岩崎通信機は、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体デバイスの容量測定を自動で行うことができる高電圧C-V測定システム「CS-600」シリーズを発売した。
岩崎通信機は2017年6月、SiC(炭化ケイ素)、GaN(窒化ガリウム)パワー半導体デバイスの容量測定を自動で行うことができる高電圧C-V測定システム「CS-600」シリーズを発売した。
CS-600シリーズは、DCバイアス電圧が最大5kVの「CS-605」と、最大3kVの「CS-603」の2機種を用意した。それぞれ、最大のバイアス電圧を印加した状態で、パワーデバイスの入力容量や出力容量、帰還容量などを全自動で測定することができるという。
CS-600シリーズの外観
CS-600シリーズの主な仕様 出典:岩崎通信機
この他、さまざまなパッケージに対応するカーブトレーサー用アダプターをそのまま利用可能、プローブステーションと連動させウエハーやチップ上での容量測定が可能、高電圧用コンデンサーなどの容量測定にも対応、といった特長がある。
価格(税別)は、CS-605が348万円、CS-603が248万円である。製品の出荷開始は2017年8月17日を予定している。なお、測定システムには別売のLCRメーターが必要となる。
SiC/GaNをより使いやすく、日本の新興企業が提案
headspring(ヘッドスプリング)は、ドイツ・ニュルンベルクで開催されたパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日)で、GaNやSiCパワーデバイスを搭載した研究開発用のツールキットを展示した。
パワー半導体市場、2025年に酸化ガリウムがGaNを抜く
富士経済が、2025年における次世代パワー半導体市場の予測を発表した。SiC、GaNはともに堅調に成長する。加えて有望視されているのが酸化ガリウム系パワー半導体だ。特に中高耐圧領域での優位性が際立ち、2025年には、市場規模でGaNパワー半導体を上回るとみられる。
Infineon、フルSiCモジュールを2018年に量産へ
Infineon Technologiesは、ドイツ・ニュルンベルクで開催中のパワー半導体の展示会「PCIM Europe 2017」(2017年5月16〜18日)で、耐圧1200VのSiC-MOSFETと、それを搭載したフルSiCモジュールの量産について発表した。SiCだけでなくGaNでも新製品を発表している。
三菱電機がSiC-SBDを単体で提供、高いニーズ受け
三菱電機は「TECHNO-FRONTIER 2017(テクノフロンティア2017)」(2017年4月19〜21日、幕張メッセ)で、SiCパワーデバイスや、鉄道や大型産業機械向けの高電圧IGBTモジュール、水を流して直接冷却できる自動車用パワーモジュールなどを展示した。
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