メディア

WDが4ビット/セルの64層3D NANDを開発：記憶容量は従来比50％増

Western Digital（WD：ウエスタンデジタル）は、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ「BiCS3」向けに、1セル当たり4ビットの多値化技術を開発した。記憶容量は、現行の3ビット/セルの512Gビットに比べて50％増となる768Gビットを実現できるとする。

» 2017年07月27日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

96層BiCS4など次世代フラッシュにもX4を採用へ

X4技術を用いた3D NAND型フラッシュメモリ（BiCS3）の外観

　Western Digital（ウエスタンデジタル）は2017年7月24日（米国時間）、64層構造の3D（3次元） NAND型フラッシュメモリ「BiCS3」向けに、1セル当たり4ビット（X4）の多値化技術を開発したと発表した。BiCS3 X4技術を用いると、現行のBiCS3 X3技術を適用したフラッシュメモリ製品に比べて、チップ単体の記憶容量を50％増やすことが可能となる。

　ウエスタンデジタルは、1セルに2ビット（X2）あるいは3ビット（X3）の情報を記憶するマルチレベルセル（MLC）技術を用いたフラッシュメモリを開発してきた。2017年2月には、BiCS3 X3技術を用いて容量が512Gビットの製品を開発したと発表した。

　今回は、2D NAND製品で蓄積したX4技術を、最新のBiCS3に適用した。チップ単体の記憶容量もBiCS3 X3技術では512Gビットだったものが、BiCS3 X4技術を用いることで、768Gビットを実現可能とした。しかも、メモリの性能はほぼ同等だという。

　同社は今後、96層BiCS4などの次世代3D NAND製品にもX4技術を採用していく計画である。なお、2017年8月に米国カリフォルニア州サンタクララで開催される「フラッシュメモリサミット」の会場で、BiCS3 X4技術を採用したリムーバブル製品やSSD製品などを公開する予定である。

「3D NANDのスイートスポットは64層」 WDが主張
Western Digital（WD）のメモリ技術担当者は、2D NAND型フラッシュメモリに比べて、真のコスト競争力を発揮できる3D NANDフラッシュの積層数は、現在のところ64層だと語る。
WD、従来と主張変えず「東芝メモリ売却は契約違反」
Western Digital（ウエスタンデジタル／WD）は2017年6月21日、同日東芝がメモリ事業売却の優先交渉先を決定したことを受け声明を発表し、改めて東芝によるメモリ売却手続きは契約に反すると主張した。
東芝がWDを提訴、妨害差し止めと損害賠償を求める
東芝は2017年6月28日、メモリ事業で協業するWestern Digital（ウエスタンデジタル／WD）を相手取り、訴訟を起こしたと発表した。東芝とWDは、東芝によるメモリ事業売却を巡り対立している。
WD、東芝メモリの買収案を再提出
Western Digital（WD：ウエスタンデジタル）は2017年6月26日（米国時間）、東芝メモリの買収案を、米投資ファンドとともに再提出した。
Western Digital、「iNAND」の車向け展開を加速
Western Digital（ウェスタンデジタル）は、自動車市場に対し、組み込みフラッシュドライブ製品群「iNAND」の展開を加速させる。自動車市場でも低コスト、大容量のメモリへのニーズが広まり、iNANDの特長を生かしニーズの取り込みを図るようだ。
512Gbの64層3D NANDを試験生産――四日市工場で
ウエスタンデジタルは2017年2月、64層構造の3D NAND型フラッシュメモリ（BiCS3）で容量が512Gビットの製品を開発し、三重県の四日市工場で試験生産を始めたと発表した。