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IEDM 2017の講演2日目（12月5日）午前（その1）：論理機能可変の不揮発性ロジック：福田昭のデバイス通信（119） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（3）

「IEDM 2017」について、技術講演の2日目となる12月5日の午前のセッションから注目講演を紹介する。モアムーアやモアザンムーアを進めていくときの課題や、オールカーボンの次世代多層配線などが発表される。

» 2017年11月14日 09時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

12月5日の午前は8本の講演セッションが同時並行で進む

　前回は、技術講演の初日である12月4日（月曜日）午後のセッションから、セッション概要と注目の発表をご紹介した。今回は、技術講演の2日目である12月5日（火曜日）の午前のセッションから、概要と注目講演をご紹介する。

　この時間帯は、セッション11からセッション18までの、8本のセッションが同時並行で進む。前日午後の9本同時に比べると1本減ったものの、かなりの忙しさだ。

　ここからは、この時間帯をセッション11からセッション14までと、セッション15からセッション18までの2つに分けてご紹介していく。今回はセッション11からセッション14までを対象とする。ニューロモルフィックコンピューティングのモデリング、モアムーア（More Moore）とモアザンムーア（More than Moore）を進めていくときの課題、最先端MOSトランジスタのモデリングとシミュレーション、相互接続（多層配線）技術のセッションがある。

12月5日（火曜日）午前の技術講演セッション（その1）。セッション11からセッション14までの一覧（クリックで拡大）

オールカーボンの次世代多層配線を構築

　この時間帯の注目講演は、セッション12（モアムーアとモアザンムーアに関する回路とデバイスの課題）とセッション14（相互接続のパターン形成とメモリ集積化）に集まっている。

　National Tsing Hua UniversityとTSMCの共同研究チームは、16nm FinFETプロセスで作製する不揮発性ロジックを考案した（講演番号12.1）。不揮発性の状態を制御することで、論理ゲートの機能を変更できる。

　National Nano Device Laboratories他の研究グループは、論理ゲートとメモリセルを集積したSRAMセルを試作した（講演番号12.6）。シリコン面積を節約するため、3次元構造を考案している。1個のセルは9個のトランジスタで構成した。2次元の従来型セルで実現する場合に比べてシリコン面積を51％に削減したとする。

　University of California, Santa Barbaraは、炭素原子で多層配線を構築してみせる（講演番号14.3）。グラフェンの配線とカーボンナノチューブのビアを試作した。銅配線に比べて優れた性能を示す。

　Intelは、量産向けに開発中のEUV（極端紫外線）リソグラフィ技術を報告する（講演番号14.4）。同技術の課題である、パターンのエッジばらつき低減や光源出力向上、マスクブランク欠陥低減などについて現状を述べる。