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ダイヤモンドMOSFETで初の200V、1AのSW動作を達成：耐圧550V、ドレイン電流0.8A

Power Diamond Systemsは、耐圧550Vでドレイン電流0.8AのダイヤモンドMOSFETを開発し、初めて200V、1Aのスイッチング動作を実現した。

» 2026年03月13日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

フィールドプレート構造を導入、ゲート端部での電界集中を抑制

　Power Diamond Systemsは2026年3月、耐圧550Vでドレイン電流0.8AのダイヤモンドMOSFETを開発し、初めて200V、1Aのスイッチング動作を実現したと発表した。

　ダイヤモンド半導体は、ワイドバンドギャップや高い絶縁破壊電界など優れた物性値を備えていて、次世代のパワーデバイス材料として注目されている。こうした中、実用化に向けては高耐圧化と低オン抵抗化を両立させることが課題となっていた。特に高耐圧化の点では、ゲート端部に電界が集中することで、ドレイン－ソース間の耐圧が制限されていた。大電流化についても、小型デバイスを多数並列接続する必要があったという。

　そこで今回、ダイヤモンド半導体デバイスを研究開発するスタートアップのPower Diamond Systemsは、これまで培ってきたダイヤモンドMOSFETに関する基盤技術を基に、フィールドプレート構造を新たに導入した。これにより、ゲート端部における電界集中を抑え、高耐圧化に成功した。同時に、デバイスの大面積化にも取り組んだ。これによって、小型デバイスを並列接続しなくても大電流駆動が可能となった。

作製したMOSFETの光学顕微鏡写真および、電流－電圧特性、耐圧測定、スイッチング特性の測定結果［クリックで拡大］出所：Power Diamond System

「動く」ダイヤモンドMOSFETを展示、2030年代実用化へ連携模索
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