IEDM 2017の技術講演初日、高密度ReRAMと紙基板の2次元トランジスタ：福田昭のデバイス通信（118） 12月開催予定のIEDM 2017をプレビュー（2）（1/2 ページ）

技術講演初日である2017年12月4日から、注目の講演を紹介する。抵抗変化メモリ（ReRAM）や、折り曲げ可能な電子回路（フレキシブルエレクトロニクス）関連で、興味深い講演が多い。

[福田昭，EE Times Japan]

12月4日の午後から技術講演セッションを開始

　前回から、12月に米国サンフランシスコで開催予定の国際学会「IEDM 2017」の概要を解説している。今回は、技術講演の初日である12月4日（月曜日）午後の詳しいスケジュールと、注目講演をご紹介しよう。

　12月4日の午後は、セッション2からセッション10までの9本ものセッションが同時並行で進む。今回のIEDMでは、最も忙しい時間帯だ。抵抗変化メモリ（ReRAM）、3次元集積化パッケージング、不揮発性メモリのモデリング、2次元デバイス、ニューロコンピューティング用デバイス、化合物パワーデバイス、疾病診断センサーなどの研究成果が発表される。

12月4日（月曜日）午後の技術講演セッション（その1）。セッション2からセッション6までの一覧（クリックで拡大）

12月4日（月曜日）午後の技術講演セッション（その2）。セッション7からセッション10までの一覧（クリックで拡大）

3次元化する高密度ReRAM

　この時間帯の注目講演は、抵抗変化メモリ（ReRAM）に関する発表が集まる、セッション2で多い。革新的なセレクタ技術やメモリセルアレイの試作、3D NAND技術を応用した高密度メモリなどの研究成果が披露される。

　抵抗変化メモリ（ReRAM）には、クロスポイント構造の高密度なメモリセルアレイを作りやすいという特徴がある。クロスポイント構造では、セル選択素子にトランジスタではなく、セレクタと呼ばれる2端子のスイッチ素子を使う。セレクタの材料は多種多様なのだが、これまでは特殊な化合物を使うことが多かった。

　ところがSK Hynixは、二酸化シリコン（SiO₂）にヒ素（As）をドーピングしただけという、ごく普通の半導体材料で高速のセレクタを実現してみせた（講演番号2.1）。25nm技術でクロスポイント構造のReRAMを試作した結果を発表する予定である。

　Winbond Electronicsは、製品レベルに近いと思われる512KビットReRAM技術を公表する（講演番号2.6）。インタフェースはシリアルのSPI。512Kビットの標準型EEPROMの置き換えを狙う。標準型EEPROMに比べると高速で、消費電力が低いとする。また100年間と非常に長いデータ保存期間を実験から得ている。

　またChinese Academy of Sciencesなどの研究グループは、3D NANDフラッシュと類似の縦型ReRAM技術を講演する（講演番号2.7）。8層のワード線層を有するメモリを試作した。

12月4日（月曜日）午後の注目講演タイトル（その1） （クリックで拡大）