協栄産業は、京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIAが開発したコランダム構造の酸化ガリウムを用いたパワー半導体「GaOパワーデバイス」の販売を始める。
協栄産業は2019年10月、京都大学発のベンチャー企業であるFLOSFIAと国内販売代理店契約を結んだと発表した。この契約に基づき、FLOSFIAが開発したコランダム構造の酸化ガリウム(Ga2O3)を用いたパワー半導体「GaOパワーデバイス」の販売を始める。
FLOSFIAは、コランダム構造という特殊な結晶構造を人工的に合成し、パワーデバイスへの応用に取り組んできた。開発したコランダム構造のGa2O3は、バリガ性能指数がSi(シリコン)の約7000倍、SiC(炭化ケイ素)に比べても約20倍の物性値だという。
FLOSFIAは、GaOパワーデバイスの第一弾としてショットキーバリアダイオード(SBD)のサンプル出荷を始めている。2019年7月には新たな製造拠点でクリーンルームが稼働するなど、2020年の量産開始に向けて準備中だ。試作したMOSFET(電界効果型トランジスタ)でノーマリーオフ動作の実証にも成功している。
GaOパワーデバイスは、従来に比べて電力変換損失を大きく低減できることから、電気自動車や産業機器、民生用小型電源機器などの用途に提案していく。
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