キオクシア、512ギガビットTLC製品を開発：5世代目となるBiCS FLASH

キオクシアは、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の5世代目となる、112層積層プロセスを用いた製品を試作し、基本動作を確認した。試作したのは512ギガビットTLC製品で、2020年第1四半期（1〜3月）よりサンプル出荷を始める。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

単位面積当たりのメモリ容量を従来比20％向上

第5世代BiCS FLASHの外観

　キオクシアは2020年1月、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH」の5世代目となる、112層積層プロセスを用いた製品を試作し、基本動作を確認したと発表した。試作したのは512ギガビットTLC製品で、2020年第1四半期（1〜3月）よりサンプル出荷を始める。

　今後は、112層積層プロセスを用いた1テラビットTLC製品や1.33テラビットQLC製品なども順次、製品化していく予定だ。

　開発した512ギガビットTLC製品は、回路技術やプロセスを最適化することで、チップサイズを小さくした。96層積層プロセスを用いたBiCS FLASHメモリセルに比べ、単位面積当たりのメモリ容量は20％向上したという。また、インタフェースの性能を50％向上し、プログラム性能やリード性能を高めた。

　新製品は、データセンター向けSSDやエンタープライズSSD、PC向けSSD、スマートフォン向け製品をはじめ、5Gネットワークや人工知能、自動運転向けのシステムなどに提案していく。

　第5世代の3次元フラッシュメモリプロセスを用いた製品は、ウエスタンデジタルと共同開発した。今後、三重県の四日市工場および、岩手県の北上工場で量産に入る。