キオクシアは2021年5月13日、フラッシュメモリおよびSSDの研究開発を強化すべく、横浜テクノロジーキャンパス(横浜市栄区)に技術開発新棟を建設し、横浜市神奈川区にクリーンルームを備えた研究開発拠点(仮称:新子安研究拠点)を新設すると発表した。
キオクシアは2021年5月13日、フラッシュメモリおよびSSDの研究開発を強化すべく、横浜テクノロジーキャンパス(横浜市栄区)に技術開発新棟を建設し、横浜市神奈川区にクリーンルームを備えた研究開発拠点(仮称:新子安研究拠点)を新設すると発表した。投資額は約200億円で、2023年の稼働を予定している。これに伴い、横浜市と川崎市に分散している部門を集結させ、連携しやすい体制に整える。
横浜テクノロジーキャンパスでは、技術開発新棟の建設によりスペースを約2倍に拡張する。6階建てで延床面積は約4万m2。2021年秋に工事を開始し、2年後の2023年夏に完成する予定だ。新棟では、製品評価機能を拡充して品質向上を図ることに加え、人員を増強して開発を強化する。
新子安研究拠点では、先端研究用のクリーンルームを構築し、材料および新プロセスを中心とした研究を進める。こちらは4階建てで延床面積は約1万3000m2。
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