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Nexperia、80V／100V MOSFETを新ラインで製造：Qrr性能指数を平均で61％も低減

Nexperia（ネクスペリア）は、オン抵抗が小さく、逆回復電荷が低い耐圧80V／100VのシリコンMOSFETを発表した。新製品は英国マンチェスターの新たな8インチウエハーラインで製造する、初めての製品だという。

» 2021年06月29日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

オン抵抗は4.3mΩ、逆回復電荷は44nCを実現

　Nexperia（ネクスペリア）は2021年6月、オン抵抗が小さく、逆回復電荷が低い耐圧80V／100VのシリコンMOSFETを発表した。新製品は英国マンチェスターの新たな8インチウエハーラインで製造する、初めての製品だという。

　新製品は、「PSMN3R9-100YSF」（耐圧100V品）と「PSMN3R5-80YSF」（同80V品）の2製品。オン抵抗はわずか4.3mΩ。従来の耐圧100V品の7mΩに比べ大幅に低減した。また、逆回復電荷は44nC（耐圧100V品）で、スパイクと放射エミッションを低減する。この結果、耐圧100V品のQ_rr性能指数（R_DS（on）×Q_rr）は、競合の同等製品に比べ、平均で61％も低減したという。8インチウエハーを用いた新製造ラインの稼働により、生産能力を拡大する。

　なお、新製品は電気特性と放熱特性に優れたNexperiaのLFPAK56E銅クリップ技術を用いたパッケージで供給される。同社は、AC-DC、DC-DC、モーター制御などの用途に向けて、新製品を提案していく予定である。

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