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レーダー事業参入で競争力強化、ルネサスの車載市場戦略SiCパワー半導体提供にも言及(2/2 ページ)

» 2023年01月05日 10時30分 公開
[永山準EE Times Japan]
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1200V、1700VのSiCパワー半導体の提供目指す

 EV領域に関しては、高出力の充電能力やスケーラブルな車両アーキテクチャ、インホイールモーターなどの各種市場トレンドについて「われわれの製品でいずれも十分に対応可能だ」と説明し、広範なポートフォリオを有するバッテリーマネジメントシステム(BMS)ソリューションの例(右下図)などを示した。

左=バッテリーEVのメガトレンドについて/右=BMSにおけるルネサスの特長 左=バッテリーEVのメガトレンドについて/右=BMSにおけるルネサスの特長[クリックで拡大]出所:ルネサス エレクトロニクス

 また、Bhan氏はxEVのインバーター向けIGBTについて、コストと性能を大幅に向上した新世代プロセス(AE5)で750Vおよび1200V製品を展開し、2024年に稼働再開を目指す甲府工場の300mmウエハーラインでも製造していくと説明。さらに、SiCパワー半導体についても1200V、1700V品の提供を目指していることを明かした。

 このパワー半導体と、同社の磁石不要のインダクティブポジションセンサーおよびスケーラブルなゲートドライバーを組み合わせることで、「高いレベルで差別化されたトラクションモーターを構築できる」としている。

広範なシステムレベルソリューションやIGBT、ゲートドライバー、インダクティブポジションセンサーについて 広範なシステムレベルソリューションやIGBT、ゲートドライバー、インダクティブポジションセンサーについて[クリックで拡大]出所:ルネサス エレクトロニクス
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