富士経済の調査によると、パワー半導体向けウエハーの世界市場は、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模となる。特にSiC(炭化ケイ素)ベアウエハーは、2024年にSi(シリコン)ウエハーの市場規模を上回る見込みだ。
富士経済は2024年4月、パワー半導体向けウエハーの世界市場が、2024年見込みの2813億円に対し、2035年は1兆763億円規模になると発表した。特にSiC(炭化ケイ素)ベアウエハーは、2024年にSi(シリコン)ウエハーの市場規模を上回る見込みで、その後もパワー半導体向けウエハー市場をけん引していくと予測した。
今回の調査は、Siウエハー、SiCベアウエハー、SiCエピウエハー、GaN(窒化ガリウム)ウエハー、酸化ガリウムウエハー、ダイヤモンドウエハー、窒化アルミニウムウエハーおよび、二酸化ゲルマニウムウエハーの8品目を対象とした。ただし、窒化アルミニウムウエハーと二酸化ゲルマニウムウエハーについては、市場規模を算出しなかった。調査期間は2024年2〜3月。
2024年のパワー半導体向けウエハー市場は、2023年に比べ23.4%の増加を見込む。Siパワー半導体の在庫調整などもあってSiウエハー市場が前年を下回る中で、SiCベアウエハーは56.9%も増加した。主なSiCベアウエハーメーカーが生産能力を増強したことで、Siウエハーの規模を上回る結果となった。
2025年以降は、自動車の電動化も進みSiCベアウエハー市場が引き続き拡大すると予測した。Siウエハー市場も回復する見込み。また、GaNウエハーの大口径化や、酸化ガリウムウエハーの量産開始なども増加要因となる。さらに、ダイヤモンドウエハーや窒化アルミニウムウエハー、二酸化ゲルマニウムウエハーなどの実用化が期待されている。
パワー半導体向けウエハーの口径別構成比についても調べた。Siウエハーは今後も8インチウエハーが60%以上を占める見通しだ。12インチウエハーはIGBTやMOSFETでの採用が進んでおり、特に車載用途のパワー半導体で需要が増加する見通し。
SiCベアウエハーは6インチが大半を占める。当面はこうした状況が続くものの、開発が進む8インチウエハーについても、2035年には構成比が13.3%に達すると予測した。
Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.