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第9世代BiCS FLASH適用512Gb TLC製品、キオクシアがサンプル出荷：25年度中に量産開始予定

キオクシアは、第9世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリ技術を適用した「512GビットTLC製品」を開発、サンプル出荷を始めた。2025年度中に量産を始める。

» 2025年07月28日 13時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

既存製品に比べ書き込み性能が61％、読み出し性能が12％も向上

　キオクシアは2025年7月、第9世代BiCS FLASH 3次元フラッシュメモリ技術を適用した「512GビットTLC製品」を開発、サンプル出荷を始めた。2025年度中に量産を始める。

　新製品は、積層数120層のメモリセル技術と最新のCMOS技術を活用した。同社の第6世代BiCS FLASH製品と比べ、書き込み性能が61％、読み出し性能が12％、それぞれ向上している。電力効率も書き込み時に36％、読み出し時に27％、それぞれ改善した。また、Toggle DDR6.0インタフェースを採用し、NANDインタフェースの速度として3.6Gビット/秒を実現した。

　さらに、平面方向の縮小技術を組み合わせることで、ビット密度は8％向上した。なお、512GビットTLC製品では、NANDインタフェース速度として4.8Gビット/秒までの動作を確認したという。

　キオクシアは、二軸の開発戦略を推進している。1つは、CBA（CMOS directly Bonded to Array）技術を活用し既存のセル技術と最新のCMOS技術を融合させることで、投資コストを抑えながら性能を高めた「第9世代BiCS FLASH」製品群である。もう1つは、積層数を増やして大容量かつ高性能を実現した「第10世代BiCS FLASH」製品群である。投資効率や製品競争力に優れたこれらの製品群で、顧客の多様なニーズに応えていく。

BiCS FLASHのロードマップ［クリックで拡大］出所：キオクシアホールディングス

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