講演会場が静まり返った――中国が生み出した衝撃のトランジスタ構造：湯之上隆のナノフォーカス（82）EE Times Japan20周年特別寄稿（4/7 ページ）

[湯之上隆（微細加工研究所），EE Times Japan]

中国による怒涛の論文ラッシュ

　図7は、VLSIシンポジウムにおけるTechnology（デバイス・プロセス）分野およびCircuits（回路）分野の合計における、地域別の投稿論文数と採択論文数を示している。

図7　VLSIシンポジウム2025における地域別の投稿論文数と採択論文数［クリックで拡大］ 出所：過去の記者会見資料などを基に筆者作成

　まず図7Aの地域別投稿論文数の推移を見ると、2021年頃から中国の投稿数が急増していることが一目瞭然であり、2025年には何と283件に達した。一方、図7Bの採択論文数を見ると、中国は50件で、1位の米国（56件）、2位の韓国（55件）に次ぐ第3位となっている。しかし、ここ数年の中国の著しい成長を考慮すれば、2026年以降に1位へと躍進する可能性が高いと言える。

　次に図8では、Technology分野およびCircuits分野の合計の採択論文数の機関別トップ11を示している。ここでも中国の存在感は際立っており、北京大学が4位（12件）、清華大学が6位（8件）、マカオ大学と復旦大学がともに11位（各5件）と、大きな躍進を遂げている。

図8　Technology分野とCircuits分野の合計の機関別採択論文数トップ11［クリックで拡大］ 出所：2025年のVLSIシンポジウム記者会見資料を基に筆者作成

　要するに、VLSIシンポジウムという半導体国際学会において、中国の大学が急速に存在感を高めていることが見て取れる。加えて、今回の中国の大学の発表者には、（全ての発表を見たわけではないが）20代〜30代の若手研究者の姿が非常に多く見受けられた。すなわち、中国のヤングパワーがことしのVLSIシンポジウムを席巻していたと言ってもいいかもしれない。

　そのような中で、北京大学のHeng Wu教授が登壇し、600人以上で満席となった聴衆を前に、次世代トランジスタに関する驚きの発表を行ったわけである。以下で、その詳細について紹介する。

3D Stackedトランジスタの歴史と北京大学のFlip FETの出現

　北京大学のHeng Wu教授によれば、2004年に初めて3D Stacked CMOSのデモが行われてから、2025年で約20年目にあたるという（図9）。その間に、2005年にはFinFETの3D Stackedのデモに成功し、2009年には初めて12インチウエハーでの3D Stackedを欧州CEA-Letiが行った。

図9　3D Stacked FETsの歴史［クリックで拡大］ 出所：VLSIシンポジウム2025、T10-3、Heng Wu（北京大学）、“First Experimental Demonstration of Dual-sided N/P FETs in Flip FET (FFET) on 300 mm Wafers for Stacked Transistor Technology in Sub-1nm Nodes”のスライド

　そして、2018年のVLSIシンポジウムで、imecがPMOSとNMOSを縦につくるCFET（Complementary FET）の発表を行った。このCFETが出てきたとき、多くのトランジスタの専門家が驚いていたことを思い出す。しかし、その後数年もすると、TSMCなどの先端ロジック半導体メーカーのロードマップには、GAAの次にCFETが書かれるようになってきている。つまり、FETは、FinFETとGAAを経て、CFETの時代を迎えるということが、半導体業界の共通認識になっていると感じられる。

　ところが、そのような中で、北京大学のHeng Wu教授のグループが、2024年のVLSIシンポジウムで、Flip FET（FFET）という新たな3D Stackトランジスタの概念を発表し、2025年にはその動作に成功したことを発表した。

　次のパートでは、Flip FETが、どのような技術背景のもとで考案されたかを示す。