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2025年は数年に一度の「ビッグチェンジ」イヤー、NVIDIAとAMDの最新GPUを分解：この10年で起こったこと、次の10年で起こること（94）（3/4 ページ）

» 2025年07月28日 11時30分公開

4つのシリコンを比較する

　図5はエントリーのRTX 5050 GB207を除くNVIDIA Blackwellの4シリコンの様子である。カットダウンで構成されるスケーラブルシリコンになっている。演算器コア数やキャッシュメモリとともに、VRAMインタフェースのチャンネル数もカットダウンされている。個々のコア、PHYは同じものを活用し、スケールの変更でバージョンを作り上げているわけだ。スケール化することでテストパターンなどが流用できる利点なども大きい。一番大きなシリコンであるRTX 5090 GB202が設計難易度は一番高い。搭載トランジスタが多く、電源ドロップ、ノイズ対策、クロックスキュー調整などの課題は面積に比例して増える。一番難易度の高いものを先に設計して、それをベースにしてカットダウンすることがもっとも合理的だ（一般的に大きいチップほど電源ドロップも大きく、クロックスキュー合わせなどが難しいので製品周波数も大きいチップが若干低い）。

図5：エントリーのRTX 5050 GB207を除くNVIDIA Blackwellの4シリコンの様子［クリックで拡大］出所：テカナリエレポート

　図6は現在市販される最大トランジスタ搭載チップ2件の様子である。ともに920億トランジスタ超え。製造プロセスが異なるので同軸比較にはならないが、ともに1平方ミリメートル当たり1億トランジスタを超えている。スマートフォン向けでは、既に1平方ミリメートル当たり2億トランジスタ超えチップも出回っており、今後2nm世代、1.4nm世代のプロセスなどで3億超えを見る日も近いだろう。

図6：エントリーのRTX 5050 GB207を除くNVIDIA Blackwellの4シリコンの様子［クリックで拡大］出所：テカナリエレポート

25年前のチップと比較してみる

　図7は25年前のNVIDIA「NV11（開発コードネーム）」と最新のRTX 5090の比較である。さまざまな数字が数千倍となっている。四半世紀の進化が目に見える数字となっているわけだ（あらためて感慨深い！）。今後もややペースは落ちるもののイノベーテッドな数字を見続けることができそうなので、日々努力を重ねている製造や設計開発メーカー、エンジニアに敬意を示したい。