Micron Technologyは、データセンター向けに記憶容量が245TバイトのSSD「Micron 6600 ION」を開発、出荷を始めた。Micron 6600 ION E3.LではHDDベースの同等品に比べ、必要なラック数を82%削減、消費電力も約半分に抑えた。
Micron Technologyは2026年5月、データセンター向けに記憶容量が245TバイトのSSD「Micron 6600 ION」を開発、出荷を始めた。Micron 6600 ION E3.LではHDDベースの同等品に比べ、必要なラック数を82%削減、消費電力も約半分に抑えた。
Micron 6600 IONは、「Micron G9 QLC NAND」を搭載し、「U.2」および「E3.L」というフォームファクターで提供される。物理的なフットプリントを縮小しながら、ドライブ当たりの容量を増加した。これにより運用やデータセンターにおける管理を簡素化できるという。消費電力は最大30Wに抑えた。
また、AI処理において、HDDベースのシステムに比べると電力効率は最大で84倍、AI前処理は8.6倍も速い。データ取り込みのスループットは3.4倍、レイテンシーは最大29分の1とした。さらにオブジェクトストレージ処理では、ワット当たりのスループットが最大435倍で、最初の1バイトが到達するまでの時間は最大96分の1に短縮。総スループットは58倍も高いという。
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