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キオクシアが第10世代BiCS FLASHで332層を選んだ理由：「過度な高積層化には課題」（3/3 ページ）

» 2026年06月04日 11時00分公開

[永山準，EE Times Japan]

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開発は順調、読み出し時40％超の電力効率向上

　第10世代BiCS FLASHの開発は順調に進行しているという。

　性能面では、第8世代比でビット密度が59％向上。インタフェース速度は33％向上し、読み出しスループットは15％以上、書き込みスループットは30％以上向上している。

　また、特に電力効率の改善については、読み出し時で40％以上、書き込み時で30％以上向上。同社は2025年の経営方針説明会時点で約10％の改善を見込むと報告していたが、大幅な向上を達成している。

　第10世代BiCS FLASHの1Tbit TLC製品は「KIOXIA CMシリーズ」をはじめとする高性能／高帯域SSD製品に搭載される予定だという。井上氏は「現在、開発の最終フェーズである信頼性試験を行っていて、2026年夏頃のサンプル出荷を予定している」と説明。量産時期については、顧客認定を進めた上で「約1年後に市場の状況を見極めながら量産移行していきたい」としている。

開発状況について［クリックで拡大］出所：キオクシアホールディングス

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