メディア

「世界初」成果で1000層超3Dフラッシュに道筋、キオクシアとSandisk：VLSI 2026で共同発表へ

キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS（MSA-CBA）構造で、「世界初」（両社）のクアッドレベルセル（QLC）動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付ける。

» 2026年04月30日 19時07分公開

[永山準，EE Times Japan]

　キオクシアとSandiskが、ウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイCMOS（MSA-CBA）構造で、「世界初」（両社）のクアッドレベルセル（QLC）動作の実証に成功した。両社はこの成果を1000層以上の超高密度3Dフラッシュメモリ実現に向けた重要な技術的マイルストーンと位置付けていて、2026年6月開催のLSIに関する国際学会「VLSIシンポジウム 2026」（開催地：米国ハワイ州）で共同発表する。

3Dフラッシュ高積層化の「主要課題を克服」

　VLSIシンポジウム 2026は2026年6月14～18日の日程で開催される。キオクシアとSandiskは今回、「A Multi-Stacked Cell Array Architecture with Wafer-to-Wafer Cu Direct Bonding for Ultra-High-Density 3D Flash Memory beyond 1000 Word Lines／1000ワード線を超える超高密度3Dフラッシュメモリ向けウエハー間Cu直接接合によるマルチ積層セルアレイアーキテクチャ」としてこの成果について共同発表する。

　両社は今回の成果によって、3Dフラッシュメモリの高積層化における主要な課題であるセル電流の劣化、ウエハーの反りおよび大ブロック（BLK）サイズを克服すると説明。「これらの結果は、1000層以上の積層構造を持つ超高密度3Dフラッシュメモリに向けた重要なマイルストーンになる」としている。

　事前に公開された技術ハイライトでは、順次積層および接合を示すMSA-CBAデバイス構造の概念図や、各218WLを持つ2枚のアレイウエハーの積層セルアレイのFIB-SEM画像およびそれによって大規模積層の有効性を実証したこと、さらに個々の第1、第2セルアレイおよびMSA-CBAのVth（しきい値電圧）分布特性などを示す図版も紹介されている。

キオクシアとSandiskの技術ハイライト［クリックで拡大］出所：VLSIシンポジウム委員会

　VLSIシンポジウム 2026ではまた、SAIMEMORY、Intelらによる「高帯域3Dメモリ向けマルチウエハー（9層）、極薄（スタック当たり3μm-Si）および革新的フュージョンボンドVia-in-oneアーキテクチャ」なども発表される。

SAIMEMORYらの技術ハイライト［クリックで拡大］出所：VLSIシンポジウム委員会

キオクシアがNanyaに774億円出資、DRAM長期供給契約を締結
キオクシアホールディングス（以下、キオクシアHD）は2026年3月25日、台湾のDRAMメーカーNanya Technology（以下、Nanya）に156億台湾ドル（約774億円）を出資するとともに、NanyaからDRAMを長期で調達する契約を締結したと発表した。
キオクシアが超高IOPS SSD開発 NVIDIA Storage-Nextに対応
キオクシアは、AIワークロードに適した新タイプのSuper High IOPS SSD「KIOXIA GPシリーズ」を開発した。NVIDIA Storage-Nextアーキテクチャに対応しており、限定顧客に向け2026年末までに評価用サンプル品の出荷を始める。
25年Q4の半導体企業ランキング、キオクシアが13位に上昇
Semiconductor Intelligence（以下、SI）は2026年2月26日、WSTS（World Semiconductor Trade Statistics／世界半導体市場統計）や半導体メーカー各社のデータを基に、2025年第4四半期の半導体市場の推移や売上高ランキングなどをまとめたレポートを発表した。中でもSamsung Electronics、SK Hynix、Micron Technology、キオクシア、Sandiskら主要メモリメーカー5社は平均27％と高い成長を果たしている。
「超垂直な」メモリホールを高速加工　1000層NANDの実現に向け
Lam Researchは、1000層を超える3D（3次元） NANDフラッシュメモリの加工に向け、極低温絶縁膜エッチング技術の最新世代「Cryo 3.0」を発表した。100：1という高いアスペクト比のメモリホールを、極めて垂直に高速で加工できるという。
AI時代のニーズ捉え開発加速、キオクシア次期社長の展望
キオクシアホールディングス（以下、キオクシアHD）は2026年1月29日、キオクシアHDおよび子会社キオクシアの社長である早坂伸夫氏が退任し、副社長の太田裕雄氏が新社長に就任することを発表した。同日に記者説明会を開催し、早坂氏および太田氏が決定に至る経緯、今後の展望を語った。
SAIMEMORYの垂直ビルド構造メモリ開発がNEDO採択
SAIMEMORYは、同社の次世代メモリ技術「ZAM（Z-Angle Memory）」開発プロジェクトが新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の「高メモリ密度・広帯域・低消費電力な革新的メモリの製造技術開発」に採択されたと発表した。また富士通、日本政策投資銀行、理研、ソフトバンクを引受先としてシリーズAラウンドの資金調達を実施したことも発表した。