「国際メモリワークショップ（IMW）」が始まるまで：福田昭のストレージ通信（317） 国際メモリワークショップ（IMW）の50年（1）（2/2 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

不揮発性メモリの二大記憶原理が1967年に相次いで発見

　一方で不揮発性メモリに関する重要な発見が1967年に相次いだ。不揮発性メモリの記憶方式には大別すると「浮遊ゲート（フローティングゲート）方式」と「電荷捕獲（チャージトラップ）方式」がある。このことは約60年後の現在でも変わっていない。この2つの方式によるメモリが相次いで試作されたのが、1967年だった。前者はベル電話研究所、後者はスペリーの業績である。

「浮遊ゲート（フローティングゲート）方式」の不揮発性メモリセル（絶縁ゲートFET）断面構造［クリックで拡大］ 出所：D. Kahng and S. M. Sze、A Floating Gate and Its Application, The Bell System Technical Journal, July-August 1967

「電荷捕獲（チャージトラップ）方式」のキャパシタ構造。金属ゲートと半導体の間に、2種類の絶縁膜（窒化膜と酸化膜）をレイアウトした［クリックで拡大］ 出所：H. A. R. Wegener, Investigation of New Concepts of Adaptive Devices, Interim Scientific Report NAS12-570, Sperry Rand Research Center, September 1968

　1974年には、SISCのランプセッション（夕方〜夜の討論セッション）で「電荷捕獲（チャージトラップ）方式」の不揮発性メモリ技術が採り上げられる。このランプセッションで半導体の研究開発コミュニティーでは、不揮発性メモリを専門に扱う国際学会の必要性が認識された。

　そして1976年、サファイア半導体（Silicon On Sapphire）技術の専門学会「SOS Technology Workshop」の主要会員が、半導体不揮発性メモリ専門の学会設立へ動いた。これが「不揮発性メモリワークショップ（NVSMW）」となる。初回のNVSMWは同年8月に米国コロラド州ベイル（Vail）で開催された。

（次回に続く）

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