第一稀元素化学工業は、レアメタルの「ハフニウム(Hf)」について、国内の生産拠点で製造するための技術を確立した。HfはAI/データセンター向け半導体や航空宇宙分野などに用いられ、需要拡大が見込まれている。2028年にも国内での量産に乗り出す予定だ。
第一稀元素化学工業は2026年8月、レアメタルの「ハフニウム(Hf)」について、国内の生産拠点で製造する技術を確立したと発表した。HfはAI/データセンター向け半導体や航空宇宙分野などに用いられ、需要拡大が見込まれている。2028年にも国内での量産に乗り出す予定だ。
Hfは、電気的特性や光学特性、耐熱性、耐久性に優れている。このため、半導体デバイスや航空宇宙、光学材料、原子力などの分野で利用されている。特に半導体デバイス用途では、高誘電率材料(High-k材料)の主原料として需要が拡大する。Hfは自然界でジルコニウム鉱石に含まれているが、その含有量は微量(1〜2%)であり、分離や精製には高度な技術が求められる。このため、国内では商用生産の事例がほとんどないという。
同社は、ベトナムの生産拠点でジルコニウム鉱石を精製し、中間原料となる「ジルコニウム中間体」を製造している。その後は、このジルコニウム中間体を日本に輸送し、国内の製造拠点で最終製品となる「ジルコニウム化合物」に加工している。ジルコニウム中間体には、微量のHfが含まれているという。
同社は液体から特定成分を選択的に取り出す「溶媒抽出技術」によって、この微量に含まれるHfを分離/精製するための体制を国内で整えた。ジルコニウム中間体からHfを分離することで、ジルコニウム製品の純度をさらに高めることにも成功した。
第一稀元素化学工業は今回、共同研究を行うエマルションフローテクノロジーズの協力を得て、日本国内でのハフニウム製造技術および、サンプル試作技術を確立した。2026年内には半導体デバイス向けサンプル品の出荷を始める。2028年には国内における量産化を目指す。
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