SEMICON Japan 2013 （セミコンジャパン 2013）特集

レーザーテックは、貫通電極（TSV：Through Silicon Via）裏面研磨プロセス測定装置「WASAVIシリーズBGM300」のパネル展示を行った。干渉計とIR光学系を搭載することで、これまでは困難だった研磨前に微小径TSVの深さを測定することが可能となった。複数のシリコンウエハを積層するメモリ製品などの組み立て工程に向ける。

ニコンは、20nm以下のプロセス技術を用いたICチップの量産ライン向けArF液浸スキャナ「NSR-S622D」を、実物大パネルで展示した。毎時200枚以上の高いスループットを維持しながら、装置間重ね合わせ精度（MMO：Mix and Match Overlay）は3.5nm以下を実現している。

インターモレキュラーは、「コンビナトリアル技術」を使って、先端ICチップの製造に用いる新しい材料や構造、製造プロセスの絞り込みを効率よく行える手法「HPC（High Productivity Combinatorial）」を紹介した。新材料を使ったICチップの開発期間短縮と、開発コストの削減を可能とする。

セミコン・ジャパン 2013では、450mmウエハーに対応したアライナと搬送ロボットがいくつか展示された。ただし、開発を手掛けるメーカーによれば、「450mmウエハーに対応する製品は、各社とも手探り状態が続いている」という。

FinFETなどの3次元ICは、半導体業界のトレンドの1つだ。セミコン・ジャパン 2013では、そうした流れをくんで開発されたエッチング装置やテスト装置が紹介されていた。

アドバンテストは、2014年に提供を開始する予定のパワーマネジメントIC（PMIC）や車載IC向け電圧/電流測定モジュール「GVI64」を参考展示した。T2000の規格に対応したもの。同社の既存品に比べ、チャンネル数が32から64に倍増している。

2013年12月4〜6日、千葉市の幕張メッセで世界最大級の半導体製造装置・材料の総合展示会「SEMICON Japan 2013」（セミコン・ジャパン）が開催される。今回のテーマは、「The Power of “X”」であり、さまざまな分野に影響を与える技術/製品などにスポットを当てる。「半導体製造装置業界に直接かかわらない人でも、有益な価値ある情報を得られる場にしたい」というSEMICON Japan主催者に開催の狙い、見どころなどを聞いた。

SEMIは2013年12月3日、2013〜2015年の世界の半導体製造装置の市場規模予測を発表した。それによると、ことし2013年の世界半導体製造装置販売額（新品に限る）は2013年半ば時点の予測を下回り、前年比13.3減の320億米ドルとなるとした。2014年の同販売額については、2013年比23.2％増と大幅な伸長を予測した。

アドバンテストは、半導体テストシステムのプラットフォーム「T2000」を用いてパワー半導体のテストを行える「T2000 IPS」を、トヨタ自動車が導入したと発表した。トヨタ自動車は、次世代ハイブリッド車（HEV）などに使用する高集積のパワー半導体の評価および量産に用いる予定。

石井表記とテラプローブは、半導体のウエハーレベルパッケージ（WLP）やバンプ形成における再配線工程向けに、厚膜絶縁塗布材料（ポリイミド）の塗布をインクジェット方式で行うインクジェットコーターを共同開発した。再配線工程の絶縁膜塗布にインクジェット技術を導入するのは「世界初」（両社）だという。

ディスコは、半導体ウエハーから各チップを切り出すダイシング工程にレーザーを用いるステルスダイシング（SD）レーザーソーの新製品「DF7361」を開発。「SEMICON Japan 2013」で展示する。