次世代パワーデバイスで音質を向上、IRジャパンがGaN-FETをD級オーディオ向けに提案：TECHNO-FRONTIER 2011

D級オーディオシステムにおいて、通常のシリコンベースのMOSFETに替えてGaN-FETを用いることにより、高音質、低歪（ひずみ）率、電力損失の低減などさまざまなメリットが得られる。

[朴尚洙，EE Times Japan]

　インターナショナル・レクティファイアー・ジャパン（IRジャパン）は、「TECHNO-FRONTIER 2011」（2011年7月20日〜22日、東京ビッグサイト）において、次世代パワーデバイスとして知られるGaN（窒化ガリウム）デバイスを用いたD級オーディオシステムのデモンストレーションを行った（図1）。

　IRジャパンの親会社であるInternational Rectifierは、2008年から、「GaNpowIR」のブランドでGaNデバイスの製品展開を行っている。現在は、耐圧が30VのGaNデバイスの量産を開始するとともに、特定顧客と機器搭載における評価作業を進めている段階にある。

　今回、IRジャパンがD級オーディオシステムのデモに用いたGaNデバイスは、耐圧が150VのGaN-FETである。通常のシリコンベースのMOSFETに替えてGaN-FETを用いることにより、「高音質、低歪（ひずみ）率、768kHzという高い変調周波数、電力損失の低減、オーディオシステムの基板面積の削減などのメリットが得られる」（IRジャパン）という。

　同社は、D級オーディオシステム向けの製品として、コントローラICとMOSFETを販売している。今回デモに用いた中耐圧のGaN-FETは、既存のD級オーディオシステム向けMOSFETと比べて高性能ではあるものの価格も高い。このため、当初は、高級オーディオシステム向けの提案活動が中心になるとみられる。

図1　GaNデバイスを用いたD級オーディオシステムのデモ　真空管を模した部品の中に、GaN-FETを用いたD級オーディオシステムの回路基板が組み込まれている。