メモリ関連の論文は“量より質”にシフト：ISSCC 2013プレビュー（1/2 ページ）

2013年2月に開催される「ISSCC 2013」では、メモリに関する論文の比率が従来よりもわずかに減少するとみられる。しかし、東芝やSanDisk、パナソニックらによるReRAMの研究開発成果の発表をはじめ、メモリ分野の論文の内容自体は、依然として魅力的だ。

[Brian Fuller，EE Times]

　米国時間の2013年2月17〜21日、米カリフォルニア州サンフランシスコで半導体集積回路技術の国際会議「ISSCC（IEEE International Solid-State Circuits Conference） 2013」が開催される。このISSCC 2013では、進化の足を止めないメモリ分野の論文が注目を集めるとみられる。人々が驚くような画期的なメモリアーキテクチャによって、新たなブレークスルーが起きることが期待されている。

　ISSCC 2013では、全体のうちメモリに関する論文を取り上げる比率が従来よりもわずかに減るようだ。2011年、2012年のISSCCでは、それぞれ全体の10％を占めていたが、2013年は9％に下がる。しかし、メモリ分野の論文の内容自体は、依然として魅力的だ。

　メモリ分科会（Memory subcommittee）の議長を務めるIntelのKevin Zhang氏は、「今後も、幅広い用途に向けたオンチップ型のSRAM、DRAM、フローティングゲートを使用したフラッシュメモリなどでは、引き続き微細化が進むであろう。しかし、これまで主流を成していたメモリ技術には、微細化に関する主だった取り組みは既に盛り込み済みだ。そのため、現在では、メモリを搭載するデバイスや端末の多様化に合わせて、スマートアルゴリズムやエラー訂正技術の採用が増加している」と述べる。その上で同氏は、「PRAM（相変化メモリ）やReRAM（抵抗変化メモリ）などの新しいメモリ技術は、実用化に向けて着実に進化している。加えてSTT-MRAM（磁気メモリ）は、スタンドアロン型、オンチップ型の両方の用途において、従来の技術を置き換えるものとして有力な候補の1つとなっている」と付け加えた。

ISSCCで発表された不揮発性メモリの種類と容量の推移である。出典：ISSCC　（クリックで拡大）