Transphorm、富士通6インチ工場でGaNパワーデバイスの量産を開始：ビジネスニュース 企業動向

米Transphormと同社日本法人トランスフォーム・ジャパン、富士通セミコンダクター（以下、富士通セミコン）の3社は、富士通セミコングループの150mm（6インチ）ウエハー対応半導体工場で、窒化ガリウム（GaN）を用いたパワートランジスタの量産を開始したと発表した。

[EE Times Japan]

　米Transphormと同社日本法人トランスフォーム・ジャパン、富士通セミコンダクター（以下、富士通セミコン）の3社は、福島県会津若松市にある富士通セミコングループの150mm（6インチ）ウエハー対応半導体工場で、窒化ガリウム（GaN）を用いたパワートランジスタの量産を開始したと発表した。

　Transphormは、米国に本社を置くGaNパワーデバイスを主力とする新興メーカーで2014年に富士通セミコンのGaNパワーデバイス事業と統合。現在、富士通セミコンはTransphormの少数株主として出資を行っている関係にある。

TransphormのGaNパワーデバイス

　量産を開始したGaNパワートランジスタは、シリコン基板上にGaNを形成する「GaN on Silicon」技術を用いた定格電圧600VクラスのパワーHEMT（高電子移動度トランジスタ）。これまでTransphormは、米国内の自社4インチウエハーラインで同パワーデバイスの小規模量産を実施し、太陽光発電システム用パワーコンディショナーや超小型ACアダプター、PC/サーバ用電源など向けに出荷してきたという。今回、同パワーデバイスに関する製造プロセスを、富士通セミコングループの製造会社（会津富士通セミコンダクターウェハーソリューション）の150mmウエハーラインに移管。このほど、従来の生産規模を上回る、より本格的な量産をスタートさせた。「今後の量産は全て富士通セミコンで実施し、米国の自社製造ラインについては、新規開発品のテスト製造などを行う予定」（トランスフォーム・ジャパン）としている。

　TransphormのCEOを務める江坂文秀氏は「TransphormのGaNパワーデバイスを会津若松市の工場で量産することで、安定した製品の供給を富士通の実績ある高品質な製造技術のもとに実施することができる。Transphormは引き続き、富士通セミコンとのパートナーシップによるGaNパワーデバイス製品ラインアップの拡充を継続していく」とコメントしている。