EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が開発した、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を紹介します。
アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、国内ベンチャー企業が開発した、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を紹介します。
なお、PDFではなく、Webで閲覧する場合は、こちらをクリックしてください。
不揮発メモリIPを手掛ける国内ベンチャー企業が、LSIのどこにでも配置できる新たな混載フラッシュメモリ技術を開発した。通常のCMOSプロセスに3〜4枚のマスクを追加するだけで実現できるといい、2016年中の量産対応を目指す。
↓ログイン(会員登録)後、ダウンロードリンクが表示されます↓
NANDフラッシュの基本動作(前編)
メモリ編:次世代大容量フラッシュと次世代高速DRAMに注目
ルネサス、28nm世代混載フラッシュ技術を改良――順調に進む次世代車載マイコン開発
65nmフラッシュ−ロジック混載プロセス、IoT機器向けマイコンなどに適用Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
記事ランキング