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3D NANDフラッシュの競争は激化へ：電子ブックレット

EE Times Japanに掲載した記事を読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した68Gビットの3次元（3D）NAND型フラッシュメモリについて紹介します。

» 2016年04月14日 17時30分公開

[EE Times Japan]

3D NANDフラッシュの競争は激化へ

　アイティメディアがモノづくり分野の読者向けに提供する「EE Times Japan」「EDN Japan」「MONOist」に掲載した主要な記事を、読みやすいPDF形式の電子ブックレットに再編集した「エンジニア電子ブックレット」。今回は、Micron Technologyが「ISSCC 2016」で発表した、3ビット／セルのフローティングゲート方式を適用している68Gビットの3次元（3D）NAND型フラッシュメモリについて紹介します。

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3D NANDフラッシュの競争は激化へ

Micron Technologyは「ISSCC 2016」で、3ビット／セルのフローティングゲート方式を適用した、768Gビットの3次元（3D）NAND型フラッシュメモリを発表した。読み出し速度は、800Mバイト／秒だという。3D NANDフラッシュの競争が激化することが予想される。【著：Rick Merritt】

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