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中国ではEVと家電向けパワエレを強化、三菱電機：PCIM Asia 2016 リポート（2/2 ページ）

» 2016年06月30日 15時30分公開

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

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SiC、中国ではまだ大きなトレンドではない

ハイブリッドSiCモジュール。定格電圧は3品種とも1200V。外形寸法は、左上の100A品が48×94mm、左下の200A品が62×108mm、右の400A品が80×110mm（クリックで拡大）

　この他、IGBTとダイオードの両方にSiCを使ったフルSiCパワーモジュールや、ダイオードのみSiC化したハイブリッドSiCパワーモジュールも医療用途向けなどとして展示した。

　次世代パワーデバイス、特にSiCとGaNを用いたデバイスへの移行は、日本や欧州、米国では大きなトレンドになっている。だが、三菱電機の説明担当者によると、中国では次世代パワーデバイスへの移行の動きは、まだそれほど活発ではないという。「中国でSiCやGaNパワーデバイスを採用している分野は、まだないのではないか。中国の関連メーカーも関心は持っていて、移行のタイミングなどについて聞かれることは多い。ただ、コストと性能のバランスを考慮すると大々的に採用するまでには至らないようだ」と同氏は述べている。

［取材協力：Mesago PCIM］

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