「SEMICON West 2016」、半導体露光技術の進化を振り返る（前編）：福田昭のデバイス通信（81）（1/2 ページ）

今回から、リソグラフィ技術のセッションの概要を紹介する。まずは、半導体露光技術の進化について解説したい。前半では主に、「コンタクト露光」から始まる等倍露光技術の発展の流れを見てみよう。

» 2016年08月09日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

半導体リソグラフィ技術の始まりと発展

　半導体製造装置と半導体製造用材料に関する北米最大の展示会「SEMICON West 2016」が7月12～14日に米国カリフォルニア州サンフランシスコのモスコーンセンター（Moscone Center）で開催された。12日には「FORUM」（フォーラム）と称する併設の講演会があり、専門テーマに関する解説や展望などを数多くの研究者や技術者、経営者などが発表した。

　本コラムでは最先端の製造技術を解説するフォーラム「Advanced Manufacturing Forum」から、12日の午前に開催されたリソグラフィ技術に関するセッション「Lithography: Charting a Path, or Paths, Between Nodes 10 and 5」の概要をご紹介したい。このセッションでは主に、7nm世代と5nm世代のリソグラフィ技術に関する展望が発表された。

　まず今回は、ニコンの米国子会社であるNikon Research Corporation of AmericaでDirector of Computational LithographyをつとめるStephen Renwick氏の講演概要をご報告する。講演タイトルは「193 Immersion: The Saga Continues」である。

　Renwick氏は講演の開始部分で、過去のリソグラフィ技術の歴史を簡単に振り返った。リソグラフィ技術の基幹技術である露光技術の変遷を、過去に研究開発が進められたものの、商用化されずに埋もれていった技術を含めて紹介した。

　Renwick氏は個々の露光技術についてほとんど説明しなかった。しかし、現在の最先端の露光技術の成り立ちを知る上ではそれなりに重要な情報であることから、本コラムでは筆者が個々の露光技術について簡単に説明していこう。