EUVと液浸、FinFETとFD-SOI、GFの強みは2点張り：2018年に7nmと12FDX立ち上げへ（2/3 ページ）

[竹本達哉，EE Times Japan]

10nmスキップ「正しい判断」

EETJ　GLOBALFOUNDRIESは2年半前に、14nm世代の次のプロセスとして、10nm世代を開発をせず、7nm世代の開発に着手する経営判断を行った。競合が10nm FinFETの量産を始めた今、2年半前の経営判断は正しかったと言えるのか。

Bartlett氏　10nm世代をスキップしたことによる痛みは一切なく、われわれの判断は正しかったと断言できる。

GLOBALFOUNDRIESの先端プロセス開発推移 （クリックで拡大） 出典：GLOBALFOUNDRIES

　10nm世代は、性能などで魅力に乏しく、“軽い世代”“短い世代”になるだろう。実際、10nm世代を選択している半導体メーカーが少ないことが、それを証明している。一方で7nmは、寿命の長いプロセスになる。

EETJ　7nm世代での性能見込みを教えてほしい。

Bartlett氏　14nm世代に比べて性能で言えば30％向上する。同一性能であれば消費電力は60％小さくなる。集積度も2倍になり、魅力的なプロセスになる。

12nm FD-SOIの開発も順調を強調

EETJ　7nm世代の量産開始を予定する2018年には、12nm世代のFD-SOIプロセスの量産開始も計画している。両CMOSプロセスの開発を並行させるのはなぜか。

Bartlett氏　FinFETプロセスは高性能コンピューティングを要求するサーバやハイエンドスマートフォン、ハイエンドADAS（先進運転支援システム）など向けデバイス用に開発している。一方で、FD-SOIプロセスは、費用対効果が高く消費電力が抑えられる上、RFや混載フラッシュを構築できる特長がある。こうした利点から、バッテリー駆動機器、IoT（モノのインターネット）端末、車載用マイコンなどに適している。FinFETとFD-SOIでは、ターゲットが異なる。

GLOBALFOUNDRIESのCMOS開発ロードマップ （クリックで拡大） 出典：GLOBALFOUNDRIES

　既に量産している22FDX（＝GLOBALFOUNDRIESの22nm FD-SOIプロセスの名称）の立ち上げに着手した当時、FD-SOIには疑いの目が向けられていたが、今現在は、競合もわれわれと同じアプローチをとるようになっている。これはわれわれにとっては喜ばしいことだ。

EETJ　22FDXの後継プロセスとして、12FDXを開発を進めている。開発状況を教えてほしい。

Bartlett氏　2018年末の量産開始に向けて開発は順調だ。新技術を多く導入する7nm FinFETと違い、12FDXは、22FDXや14nm／7nm FinFETのノウハウ、知見をベースに開発できる。大きな技術課題があるわけではない。

EETJ　12FDXの性能、コスト競争力は、どのようになるのか。

Bartlett氏　12FDXは、プレーナー型トランジスタ、ダブルパターニングで実現する。性能は10nm FinFET相当、製造コストは14nm FinFET相当になる。

12FDXの概要 （クリックで拡大） 出典：GLOBALFOUNDRIES