広島大学ら、300GHz帯トランシーバーICを開発：80Gビット/秒のデータ伝送を実現

[馬本隆綱，EE Times Japan]

シリコンCMOS回路で送信と受信部をワンチップに集積

　広島大学、情報通信研究機構（NICT）、パナソニックは、シリコンCMOS回路を用いた300GHz帯ワンチップトランシーバーICを共同開発した。80Gビット/秒のデータ伝送が可能となる。

　研究グループはこれまで、シリコンCMOS回路を用いて1チャンネル当たり105Gビット/秒のデータ送信を可能にする送信ICや32Gビット/秒のデータ受信が可能な受信ICを開発してきた。

　今回は、無線通信規格「IEEE Std 802.15.3d」で示された、252GHzから325GHzの周波数チャンネル割り当てに基づき、この中のチャンネル66の周波数帯を用いて、80Gビット/秒の通信速度を可能にするワンチップのトランシーバーICを開発した。

上図は開発したトランシーバーICのチップ写真、下図はIEEE Std 802.15.3d規格で割り当てられた周波数チャンネルと、今回用いたチャンネル66の周波数帯 出典：広島大学他

　開発した技術を用いることで、光ファイバーに匹敵する通信能力を無線通信で実現可能となった。しかも、シリコンCMOS回路でワンチップに集積したことで、搭載部品のコスト低減にもつながるとみている。

　研究グループは、300GHz帯無線機の応用として、キオスク端末とモバイル機器間でのデータダウンロード、高精細映像の伝送、機器とサーバ間の無線通信などを想定している。

300GHz帯無線機の応用例 出典：広島大学他

　なお、研究成果は半導体集積回路技術の国際学会「ISSCC（International Solid-State Circuits Conference） 2019」（2019年2月17〜21日、米国カリフォルニア州サンフランシスコ）で詳細を発表し、会場で伝送実験のデモを行う。