Littelfuse ジャパン(リテルヒューズ ジャパン、以下Littelfuse)は「人とくるまのテクノロジー展2019 横浜」(2019年5月22〜24日、パシフィコ横浜)で、同社が豊富にラインアップをそろえる回路保護素子や、パワー制御系の半導体製品などを展示した。
Littelfuse ジャパン(リテルヒューズ ジャパン、以下Littelfuse)は「人とくるまのテクノロジー展2019 横浜」(2019年5月22〜24日、パシフィコ横浜)で、同社が豊富にラインアップをそろえる回路保護素子や、パワー制御系の半導体製品などを展示した。
ヒューズやTVSダイオード、サイリスタ、バリスタといった回路保護素子を手掛けて92年という長い歴史を持つ同社だが、近年はMOSFET、イグニションIGBT、SSR(ソリッドステートリレー)などパワー制御系の半導体製品にも力を入れている。
2015年に、SiCパワーデバイスの開発を手掛けるMonolith Semiconductorへの投資を通じて同市場に参入した他、2018年には中耐圧、高耐圧パワー半導体を手掛ける米IXYSを買収した。
Littelfuse ジャパンで営業本部長を務める亥子正高氏は、「ヒューズのビジネスで培ってきた顧客や販路をベースに、プラスアルファとしてパワー制御系の半導体も紹介できるというのが、弊社の強みだ。特に、例えばEV(電気自動車)のOBC(オンボードチャージャー)向けに、かなり多くの製品を提供できる」と述べる。
同氏は「パワー制御系半導体市場は、競争は大変厳しいが、成長の余地がある点は十分に魅力的だ」と続け、半導体製品の拡大に意義があることを示した。
SiCパワーデバイスについては、2018年10月にLittelfuse初となる耐圧1700VのSiC-MOSFETを発表した。2019年4月には車載向けの品質規格である「AEC-Q101」に準拠した耐圧650VのSiC-SBD(ショットキーダイオード)も発表している。SiC-SBDは標準的なTO-263-2LおよびTO-247-3Lパッケージに対応している。
亥子氏は、「SiCパワーデバイスについては、当面は開発ロードマップに沿ってディスクリートデバイスとして提供していく。あとはIXYSがさまざまなパッケージ/モジュールを持っているので、そこにどう組み込んでいくかが鍵だ」と続けた。
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