抵抗変化メモリ（ReRAM）の製品化動向と製造コスト見通し：福田昭のストレージ通信（152）半導体メモリの技術動向を総ざらい（13）（2/2 ページ）

» 2019年06月24日 10時30分公開

[福田昭，EE Times Japan]

ReRAMの製造コストはクロスポイント化でDRAMよりも低くなる

　Mark Webb氏は、ReRAMを含めた代表的な半導体メモリの製造コスト（記憶容量当たり）が将来どのように推移するかの見通しも示した。この見通しによると、3DXPointメモリとクロスポイント構造のReRAMは、製造コストがDRAMよりも低くなる。STT-MRAMの製造コストは急速に下がるものの、2020年の時点ではDRAMよりもまだ高い。

代表的な半導体メモリ製造コスト（記憶容量当たり、相対値）。出典：MKW Venture Consulting, LLC（クリックで拡大）

（次回に続く）

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