三菱電機は、5G(第5世代移動通信)基地局用装置に向け、動作保証温度範囲が広い50Gビット/秒DFB(分布帰還型)レーザー「ML771AA74T」を開発、サンプル出荷を始めた。
三菱電機は2022年3月、5G(第5世代移動通信)基地局用装置に向けて、動作保証温度範囲が広い50Gビット/秒DFB(分布帰還型)レーザー「ML771AA74T」を開発、サンプル出荷を始めた。
移動通信システムは、データ通信量の急激な増加もあり、世界的に5Gへの移行が進む。これに伴い、基地局装置のトランシーバーに搭載されるDFBレーザーも高速動作が求められている。
ML771AA74Tは、PAM4変調方式の動作に適した周波数特性を実現した。−40〜90℃という広い動作保証温度範囲で、50Gビット/秒の高速動作を可能とした。発振波長は1310nm、光出力は8mWである。広い温度範囲での動作が可能となり、熱電変換素子が不要になるという。
パッケージは業界標準のTO-56CANを採用した。従来製品(ML764AA58T)と外形寸法の互換性を確保しつつ、小型光トランシーバー規格(SFP56)に適合している。
家電用インバーター向けパワー半導体モジュール販売
耐圧600VのハーフブリッジドライバーICを開発
高精度衛星測位用アンテナで「世界最小を実現」
パワー半導体に5年で1300億円投資、三菱電機
三菱電機、パワー半導体モジュールXシリーズ拡充
三菱電機、パワーデバイス製作所に開発試作棟建設Copyright © ITmedia, Inc. All Rights Reserved.
記事ランキング