キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか：当面はASMLの独走状態との予測も（1/2 ページ）

キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。

[Alan Patterson，EE Times]

　アナリストが米国EE Timesに語ったところによると、キヤノンが発売したナノインプリントリソグラフィ（NIL）半導体製造装置は、ASMLが世界最先端の半導体製造に向けてほぼ独占的に提供しているEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置に肩を並べるようになるまでには、何年もかかる見込みだという。

　キヤノンは2023年10月、回路パターンが刻み込まれたマスクをウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成するNIL技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。この技術は、ASMLのEUVリソグラフィ装置でマスクにパターンを投影する際に独占的に使われている光学機構とは異なるものだ。

　専門家たちによると、キヤノンのNIL技術は現在、精度や、中国への販売などの点で、いくつかの障壁に直面しているという。

　ベルギーの研究機関imecの持続可能半導体技術／システムプログラム担当マネジャーであるCedric Rolin氏は、「ナノインプリント技術が、品質面でEUVと同等のレベルに達することは非常に難しいだろう。ナノインプリントの欠陥レベルは極めて高い」と述べている。

　米国の調査会社Gartnerのリサーチ部門担当バイスプレジデントを務めるGaurav Gupta氏は、「ASMLは、今後少なくとも2年間は、2nm世代以降の半導体チップを製造できるリソグラフィ装置において、ほぼ唯一のサプライヤーとしての地位を安定して維持できるのではないか」と語る。

　同氏は、「キヤノンの装置は、中国によるハイエンドリソグラフィ装置の使用を阻止する、輸出規制の対象となる可能性が高い」と付け加えた。

　「歩留まりやスループットが向上しても、量産で採用されるようになるまでには少なくとも2〜3年以上かかるだろう。これは、想定通り機能することを前提とした場合の話だ。私のこれまでの経験上、このような革新的な技術が発表されてから、本格的な実用化の兆しが見えるようになるまでには、かなり時間がかかるのが一般的だ」（Gupta氏）

　キヤノンはプレス発表資料の中で、「当社のNIL技術は、ロジック半導体製造の5nmノードに相当する、最小線幅14nmのパターンを形成できる。マスクを改良することで、2nmノードに相当する最小線幅10nmレベルへの対応も期待されている」と述べている。

工場内に設置された「FPA-1200NZ2C」［クリックで拡大］ 出所：キヤノン

　Gupta氏は、「技術は、商業利用によって証明される」と述べる。

　「半導体メーカーがナノインプリント技術を導入して、既存のリソグラフィと同等またはそれに近い歩留まりとスループットを達成できることを発表すれば、私はもっと確信を持てるだろう。5nmノードを実現可能なら、28nmや14nmノードも容易に実現できるということになるが、なぜ日本や他の国々でまだ全く導入されていないのだろうか。それほど有望な技術なら、なぜ5nmロジック向けとして準備が整うのを待っているのか。レガシーのノードの方が、もっと容易に導入できるのではないだろうか」（Gupta氏）