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キヤノン、NIL技術を用いた半導体製造装置を発売：最小線幅14nmのパターンを形成

キヤノンは、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。最小線幅14nmのパターン形成が可能で、マスクを改良すれば最小線幅10nmレベルにも対応できるという。

» 2023年10月16日 15時30分公開

[馬本隆綱，EE Times Japan]

パターン形成時の消費電力、従来に比べ約10分の1まで削減

　キヤノンは2023年10月、ナノインプリントリソグラフィ（NIL）技術を用いた半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。最小線幅14nmのパターン形成が可能で、マスクを改良すれば最小線幅10nmレベルにも対応できるという。

　NIL技術を用いた半導体製造装置は、回路パターンが刻み込まれたマスクを、ウエハー上のレジストに押し付けて回路パターンを形成する。従来の投影露光装置では多数のレンズを介して光を照射し、回路パターンをレジストに焼き付けていたが、NIL技術を用いると投影用の光学系が不要になるという。

　新製品は、インクジェットプリンターで培ったインク吐出技術を応用した。これにより、回路パターンに合わせ、レジストを適量かつ正確な位置に塗布できる。その後、レジストが塗布されたウエハーに合わせ、正しい位置でハンコのようにマスクを押し付け露光する。複雑な二次元、三次元の回路パターンを1回のインプリントで形成できるという。

　また、1nm以下の精度で位置を計測しマスクとウエハーを重ね合わせる位置制御技術や、微小な粒子のゴミを除去する環境制御技術などを採用している。パターン形成時の消費電力も、従来の投影露光装置に比べ、約10分の1まで削減できるという。

FPA-1200NZ2Cの外観［クリックで拡大］出所：キヤノン

左は工場内に設置されたFPA-1200NZ2C、右はNILで形成した三次元立体微細構造の光学素子［クリックで拡大］出所：キヤノン

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