表面実装型電子部品（SMD部品）の開発動向（後編）：福田昭のデバイス通信（450） 2022年度版実装技術ロードマップ（74）（1/2 ページ）

後編となる今回は、「セラミックコンデンサの高容量化・低ESR化、薄型化」や「チップ抵抗器の高電力化」について解説する。

[福田昭，EE Times Japan]

ご注意
　今回は前編の続きです。まず前編を読まれることを強く推奨します。

積層セラミックコンデンサとチップ抵抗器の動向

　前編（前回）では、第4章第1節第2項（4.1.2）「技術動向」から、「4.1.2.1　インダクタのインダクタンス値の拡大」の概要をご報告した。電源用、信号用、高周波用の応用分野別に、チップインダクタの製品動向を予測した。後編（今回）は、「4.1.2.2　積層セラミックコンデンサの高容量化・低ESR化、薄型化」と、「4.1.2.3　チップ抵抗器の高電力化」の概要を解説する。

第4章第1節第2項「技術動向」の構成［クリックで拡大］ 出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）

容量拡大とESL低減、薄型化を進めるMLCC

　はじめは積層セラミックコンデンサ（MLCC：Multi -Layer Ceramic Capacitor）の開発動向である。MLCCは寸法が小さい、周波数範囲が広い、寄生抵抗が低い、寿命が長いといった特長を備える。

　MLCCは誘電材料の違いによって容量が大きな「高誘電率系」と温度変化による容量変化が小さな「温度補償用（低誘電率系）」に分かれる。

　MLCCの弱点は静電容量が低いことだ。このため、最近は体積当たりの静電容量を高める動きが活発になっている。「高誘電率系」MLCCの静電容量密度は1998年〜2008年の10年で10倍に急拡大した。その後は20年で10倍と拡大ペースが低下したものの、容量密度の向上は続いている。

　具体的な数値で見ていくと、1立方ミリメートル（1mm³）当たりの静電容量は1998年には1μF前後だった。それが10年後の2008年には10μFを超え、10倍以上に容量が拡大した。2020年には50μFと12年間で50倍に向上している。今後も容量の拡大は続き、2028年には100μFを超えると予測する。

　製品としては2018年5月に太陽誘電が「4532（4.5mm×3.2mm×3.2mm）」サイズで静電容量が1000μFの高誘電率系MLCCを発表している。

1立方ミリメートル（1mm³）当たりの静電容量の推移と予測（高誘電率系MLCC）［クリックで拡大］ 出所：JEITA　Jisso技術ロードマップ専門委員会（2022年7月7日に開催された完成報告会のスライド）