TIが会津工場でGaNパワー半導体を生産開始、製造能力4倍に：300mmウエハープロセスも開発

Texas Instrumentsが日本の会津工場（福島県会津若松市）でGaNパワー半導体の生産を開始した。米国テキサス州ダラスの既存GaNパワー半導体工場と合わせると、自社製造能力は4倍になるという。

[Nitin Dahad，EE Times]

　Texas Instruments（以下、TI）は2024年10月24日（米国時間）、日本の会津工場（福島県会津若松市）でGaN（窒化ガリウム）パワー半導体の生産を開始したと発表した。米国テキサス州ダラスにある既存工場と合わせると、GaNパワー半導体の自社製造能力は4倍になるという。

　TIのパワーマネジメント事業担当シニアバイスプレジデントを務めるMark Gary氏は、米国EE Timesとの独占ブリーフィングにおいて、「当社は3年前から日本におけるこの取り組みを進めてきた。GaNパワー半導体の自社生産能力が4倍になることで、顧客の需要に先んじて対応可能になる」と語った。

GaNパワー半導体の生産を開始した会津工場［クリックで拡大］ 出所：Texas Instruments

　TIのGaNプロダクトマネジャーを務めるDavid Snook氏は、「ロボティクスのような分野はGaNから大きな恩恵を受け、需要をけん引することが予想される。ロボティクスでは現在、ソリューションのサイズに大きな制約がある。GaNを使用すれば、モータードライブのサイズが縮小できる。また、スイッチング周波数が高いため、バルク容量の必要性が減り、モータードライバーのサイズを50％縮小可能となる」と述べている。

2030年までに社内製造比率を95％以上に

　Gary氏によると、TIは2024年初頭、300mmウエハーでのGaN製造プロセスの開発にも成功したという。拡張されたGaN製造プロセスは300mmウエハー技術に完全移行できるが、生産開始にはあと2〜3年かかるとみられる。

　今回の生産能力の拡張によって、TIはより多くのGaNパワー半導体を自社で製造できるようになる。同社は2030年までにGaNパワー半導体の社内製造比率を95％以上に高め、複数の拠点から調達可能とする計画だ。これは、高出力でエネルギー効率に優れたGaNポートフォリオ全体の信頼性の高い供給を確保するためだとしている。

　シリコンに対する代替選択肢の1つであるGaNは、より高い電力密度を実現し、同じ電力をより小さなスペースで供給できる点で有望だ。TIは、「これは、サーバ電源や太陽エネルギー発電、AC-DCアダプターなどのシステム設計者にとって魅力的だ」と述べている。GaNを使用すれば、消費電力を削減し、エネルギー効率を向上できる。Gary氏は、「サーバ用電源や太陽エネルギー市場の需要は増加している。特に電源アダプター市場の需要は急増すると予想されている」と語った。

　また、Snook氏は「GaNの現在の市場成長はモバイル充電器がけん引しているが、太陽光発電やエネルギー貯蔵、モータードライバー、ロボティクスでの採用も増加している」と付け加えた。その上で同氏は、TIがドライバーと統合したGaN FETに注力していることに触れ、「これによって、個別のソリューションよりも高い効率が得られる」と強調した。

　TIは、GaN製造能力拡張による性能上の利点によって、GaNチップを高電圧対応に向けて拡張可能になるとも強調。まず900Vを目標とし、段階的により高い電圧へと引き上げていく方針で、「ロボット、再生可能エネルギー、サーバ電源などのアプリケーション向けの電力効率とサイズの革新をさらに促進できる」と述べている。

【翻訳：滝本麻貴、編集：EE Times Japan】

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