この記事は、2025年2月25日発行の「電子機器設計/組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan/EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。
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AIブームを支えるNVIDIAのGPUなどをはじめ、最先端半導体の製造に必要不可欠となったEUV(極端紫外線)露光装置ですが、1台で1MW(メガワット)を超えるという膨大な電力消費および構造の複雑さによる装置価格の高さ、頻繁なメンテナンスの必要性など大きな課題があります。同装置は、競合が撤退する中で唯一開発に成功したASMLが現在独占供給していますが、将来的にこうした状況を変えるかもしれないと期待されているのが、沖縄科学技術大学院大学(OIST)の新竹積教授が開発した新技術です。
EUV用フォトマスク上で2nm以降の微細パターン解像に成功、DNP
大日本印刷(以下、DNP)は2024年12月12日、EUV(極端紫外線)リソグラフィに対応した、2nmプロセス世代以降のロジック半導体向けフォトマスクに要求される微細なパターンの解像に成功したと発表した。さらに、高NAに対応したフォトマスクの基礎評価が完了し、評価用フォトマスクの提供も開始したという。
「ASMLショック」は空騒ぎ? 覚悟すべきは2025年のトランプ・ショックか
ASMLの2024年第3四半期決算は業績が「期待外れ」とされ、決算発表の翌日に株価が暴落。「ASMLショック」が広がったと報じられた。だが業績の推移を見れば、これが「ショック」でも何でもないことはすぐに分かる。それよりも注視すべきは、中国によるASML製ArF液浸露光装置の爆買い、そして何よりも「トランプ・ショックの到来」ではないだろうか。
半導体製造の露光工程における検査時間を大幅短縮
東京大学の研究グループは、レーザー励起光電子顕微鏡(Laser-PEEM)を用い、レジストに描画された潜像を極めて高速に検査できる方法を開発した。この方法を用いると半導体製造の露光工程における検査時間を大幅に短縮できる。
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