低消費電力の国産EUV露光装置につながる新技術の開発秘話：電子機器設計／組み込み開発メルマガ編集後記

沖縄科学技術大学院大学（OIST）の新竹積教授が語っています。

» 2025年02月25日 16時34分公開

[永山準，EE Times Japan]

　この記事は、2025年2月25日発行の「電子機器設計／組み込み開発メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

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国産EUV露光装置につながる新技術の開発秘話

　AIブームを支えるNVIDIAのGPUなどをはじめ、最先端半導体の製造に必要不可欠となったEUV（極端紫外線）露光装置ですが、1台で1MW（メガワット）を超えるという膨大な電力消費および構造の複雑さによる装置価格の高さ、頻繁なメンテナンスの必要性など大きな課題があります。同装置は、競合が撤退する中で唯一開発に成功したASMLが現在独占供給していますが、将来的にこうした状況を変えるかもしれないと期待されているのが、沖縄科学技術大学院大学（OIST）の新竹積教授が開発した新技術です。

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「ASMLショック」は空騒ぎ？覚悟すべきは2025年のトランプ・ショックか
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半導体製造の露光工程における検査時間を大幅短縮
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