創刊前の20年間（1985年〜2005年）で最も驚いたこと：「高輝度青色発光ダイオード」（前編）：福田昭のデバイス通信（502） EETimes Japan 20周年記念寄稿（その3）（3/4 ページ）

[福田昭，EE Times Japan]

青色LEDの研究開発コミュニティから忘れ去られた「窒化ガリウム（GaN）」

　そのような中で名古屋大学の赤崎勇氏と天野浩氏らの研究グループ（パートナー企業は豊田合成）と、日亜化学工業の中村修二氏らの研究グループが、GaNによって画期的な研究開発成果を1980年代後半から1990年代初頭にかけてたたき出したのです。1980年代に青色LEDの候補材料としてGaNを選択することは「勝つ見込みの極めて少ないギャンブル」というよりも、ほとんど無視されたような状態でした。

　赤崎勇氏は、窒化物半導体による光デバイスのパイオニアであり、1973年に「この“前人未到”の『GaN 系ナイトライドのp-n接合による青色発光デバイスの実現』への挑戦を“ライフワークとする”ことを決意した」（出所：赤崎、「夢の青色発光デバイスの実現を語る」、『応用物理』、第73巻、第8号、p.1062、2004年）。松下技研（入社は1963年、GaN研究は1973年〜1981年）から名古屋大学（1981年以降）へと研究環境を変えながらも、GaN青色発光素子の研究開発を継続してきました。

　その赤崎氏は応用物理学会誌『応用物理』の創刊75周年記念特集インタビュー（2007年8月号、p.895）でGaN研究に対する関心の低さを、以下のように述べています。「1978年のデータをいろんな事情で1981年に発表しました．ずいぶん関心を引くだろうと思っていたのですが，まったく反応がなかった．そのころGaN には誰一人見向きもしなくなっていたんですね．私はつくづく，「ああ，一人なんだな」と思いました．」。また前述の「夢の青色発光デバイスの実現を語る」では、「・・・種々の事情で2年後（筆者注：2年後とは1981年の意味）に国際会議に発表したが，最後まで好敵手であったPhilips社もすでにGaN研究から撤退したこともあり，関心を示す人はほとんどいなかった．」（p.1062）と記述しています。

　補足すると、1978年のデータとは松下技研在籍時に開発したフリップチップ構造のGaN MIS（金属・絶縁物・半導体）型青色LEDの研究成果であり、1981年の発表とは、神奈川県の大磯で1981年9月に開催された化合物半導体の国際学会「9th International Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds」を指しています。なお発表論文（pp.479-484）の著者は赤崎氏を含めて4人であり、赤崎氏を除く3人の所属は松下技研、赤崎氏の所属は名古屋大学となっています。

高輝度青色発光ダイオード（青色LED）開発の主な歴史（前編）