大日本印刷(DNP)は「SEMICON Japan 2025」に出展し、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)用テンプレートや極端紫外線(EUV)リソグラフィ用フォトマスクを紹介した。
大日本印刷(以下、DNP)は「SEMICON Japan 2025」(2025年12月17〜19日、東京ビッグサイト)に出展し、ナノインプリントリソグラフィ(NIL)用テンプレートや極端紫外線(EUV)リソグラフィ用フォトマスクを紹介した。
微細化が進む最先端半導体の製造においては現在、EUVリソグラフィが多く用いられているが、コストの高さや消費電力の大きさが課題となっている。NILは回路パターンを刻んだテンプレートを基板に直接圧着して転写することで露光工程の消費電力を抑制できる手法だ。
DNPは2003年からNIL用テンプレートの開発に取り組んでいて、2025年12月、回路線幅10nmのNIL用テンプレートを開発したとを発表した。これは、1.4nmプロセス相当のロジック半導体に対応できるものだ。
ブースではNIL用テンプレートの原版やレプリカを展示した。
DNPの説明員は「半導体製造には多くの工程で金属の加工が重要だ。DNPはもともと印刷会社で、活版印刷の原版を作ってきたことから金属加工の知見がある。NILテンプレートは、エッチング技術の改良をナノメートルレベルまで積み重ねたもので、1.4nmプロセスレベルの加工ができるプレイヤーは世界でもほとんどいない」と述べる。
NILは単純なパターンを得意とするが、現時点では複雑なパターンは苦手としている。DNPの説明員によると「複雑なパターンへの対応にも取り組んではいるが、それよりも、NILは単純なパターンに生かして、複雑なパターンが得意なEUVと使い分けてもらうことを想定している」という。
DNPは2027年をめどに、2nmプロセス向けのNILテンプレートの量産を開始する予定だ。顧客からは前後の工程との互換性など導入しやすさについての要望が多く、そうした声を踏まえて開発を進めているという。
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