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活版印刷で培った金属加工　1.4nmプロセス向けNILテンプレート、DNP：SEMICON Japan 2025（2/2 ページ）

» 2026年01月06日 10時30分公開

[浅井涼，EE Times Japan]

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カーボンナノチューブペリクル付きEUVフォトマスクも展示

　ブースでは、EUVリソグラフィ用のフォトマスクも展示した。EUV光の高透過率を実現するカーボンナノチューブペリクルを装着したものだ。

EUVリソグラフィ用フォトマスク［クリックで拡大］

　DNPは、EUV用フォトマスクとNIL用テンプレート、従来のフォトマスクも、全て同じ部門で手掛けている。「EUVで培った加工技術をNILに展開することも、その逆もある。従来のフォトマスクで培った量産性もある。異なる技術が同じ部門の中で高め合っていることがDNPの強みだ」（同社説明員）

1.4nm世代に対応、回路線幅10nmのNIL用テンプレートをDNPが開発
大日本印刷（DNP）は、回路線幅が10nmのナノインプリントリソグラフィ－（NIL）用テンプレートを開発した。NAND型フラッシュメモリに加え、1.4nm世代相当の先端ロジック半導体にも対応できる。2027年にも量産を始める予定だ。
EUV用フォトマスク上で2nm以降の微細パターン解像に成功、DNP
大日本印刷（以下、DNP）は2024年12月12日、EUV（極端紫外線）リソグラフィに対応した、2nmプロセス世代以降のロジック半導体向けフォトマスクに要求される微細なパターンの解像に成功したと発表した。さらに、高NAに対応したフォトマスクの基礎評価が完了し、評価用フォトマスクの提供も開始したという。
UVナノインプリントによるシリコンフォトニクスプロセスを開発
東京科学大学と東京応化工業は、UVナノインプリントリソグラフィー（UV-NIL）を用いたシリコンフォトニクス半導体プロセスを開発した。開発した光硬化性樹脂と同プロセスを用いて試作したシリコン導波路は、電子線描画を用いて作製した光導波路と同等レベルの性能が得られることを確認した。
キヤノン、ナノインプリント半導体製造装置を出荷
キヤノンは、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を、米国テキサス州にある半導体コンソーシアム「Texas Institute for Electronics」（TIE）に向けて出荷した。
キヤノンのNIL技術、EUVの「対抗馬」になれるのか
キヤノンは2023年10月、ナノインプリント半導体製造装置「FPA-1200NZ2C」を発売した。業界の専門家たちは、キヤノンの同装置がASMLのEUV（極端紫外線）リソグラフィ装置の“ライバル”となるのは、もっと先になるだろうとみている。