オキサイドが半導体後工程向け装置事業を本格化 : 台湾企業と提携
オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。
オキサイドは2026年2月、レーザー微細加工装置メーカーである台湾Boliteとの業務提携に基本合意したと発表した。今回の合意に基づき両社は、半導体後工程に向けたレーザー微細加工装置事業を本格的に展開していく。
オキサイドとBoliteが業務提携[クリックで拡大] 出所:オキサイド
オキサイドは、単結晶育成技術や波長変換技術をベースに深紫外レーザーを開発し、半導体前工程におけるウエハー欠陥検査などの用途に供給してきた。さらに成長戦略の1つとして、レーザー微細加工のニーズが高まる半導体後工程向けの新たな事業も検討してきた。
半導体の製造工程では、チップの微細化が進むと同時にチップレット技術の採用などが本格化している。このため、後工程でも高密度実装や微細加工技術が不可欠となってきた。例えば、微小なビアの形成や再配線層の加工、レーザーダイシングなどにおいて、レーザー加工技術を適用する領域が広がっている。非接触で高精度かつ低ダメージの加工ができるからだ。
そこでオキサイドは、Boliteと連携し半導体後工程向けレーザー微細加工装置の事業化に取り組むことにした。今回の業務提携で開発する半導体後工程向けレーザー微細加工装置はいくつかの用途を狙ったものである。例えば、「ガラス基板およびSiCインターポーザ−の微細加工」「マイクロQRコードマーキング」「光電融合デバイスの加工」「ダイヤモンドウエハーの平たん化やCMP基板に対応した高精度加工」などである。
名古屋大ら、溶液成長法による6インチp型SiCウエハー試作に成功
オキサイドパワークリスタルとMipox、UJ-Crystal、アイクリスタル、産業技術総合研究所(産総研)および名古屋大学の開発グループが、溶液成長法とシミュレーション技術を活用し、6インチp型炭化ケイ素(SiC)ウエハーおよび、6インチ/8インチn型SiCウエハーの試作に成功した。
JSファンダリとオキサイド、SiCウエハー国産化目指し協業
JSファンダリとオキサイドが、溶液法SiCウエハー事業において、業務提携に関する基本合意書を締結したと発表した。JSファンダリは、「溶液法SiCウエハーの事業化にオキサイドと取り組み、「欠陥が少なく高品質なウエハーの市場への安定投入を図ることで、自社のパワー半導体ビジネス拡大への足掛かりとする」としている。
2nm世代以降のGAAチップの性能向上へ、AMATの新装置
アプライド マテリアルズ(AMAT)は、2nm以降のGAAトランジスタを集積するAIチップの性能を、さらに向上させることができる半導体製造装置3種類を発表した。既に複数の大手ファウンドリーやロジックICメーカーが新製品を導入し、活用しているという。
大面積のダイヤモンド/シリコン複合ウエハー開発
産業技術総合研究所(産総研)とイーディーピーは、ダイヤモンドデバイス製造に向け、大面積のダイヤモンド/シリコン複合ウエハーを開発した。多数の小さなダイヤモンドをシリコンウエハー上に1200℃という高温で接合すれば熱ひずみを抑えられ、汎用の露光装置を用いて微細加工が可能なことを実証した。
次世代半導体材料をウエハー規模に成膜、NIMSら
物質・材料研究機構(NIMS)や東京大学らの研究グループは、MOCVD(有機金属化学気相成長)法を用い、高品質な単層膜厚の「二硫化モリブデン(MoS2)」を、ウエハースケールでエピタキシャル成長させる技術を開発、その成膜メカニズムを解明した。試作したトランジスタの電子移動度を測定したところ、室温で66cm2/Vs、20Kで749cm2/Vsを達成した。
新型ハイブリッドプレーサーを発売、ヤマハ発動機
ヤマハ発動機は、高速で高精度な実装を実現しながら、12インチウエハーへの対応や大型基板搬送を可能にしたハイブリッドプレーサー「YRH10W」を開発、2026年3月より発売する。NEV(New Energy Vehicle)に向けたパワー半導体モジュール製品などの製造工程において、生産性や品質の向上が可能となる。
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