NORフラッシュにもAI需要の波、迫る供給危機：30％の値上げの可能性も（2/2 ページ）

[Majeed Ahmad，EE Times]

期待が高まる3D NORフラッシュ

　3D NORフラッシュは、メモリセルを垂直にスタックすることで、2D NORのプレーナ型アーキテクチャに特有のスケーラビリティの問題を克服する。垂直スタックは、フットプリントを大きくせずにストレージを高密度化でき、eMMC（embedded Multi Media Card）やNANDのような複数のストレージデバイスの必要性を低減する。また3D NORは、レイテンシを短縮し、ブート性能を向上させるので、ほぼ瞬時に保存データにアクセスする必要があるアプリケーション向けには非常に重要だ。

　2D NORの最大密度が512Mビットであるのに対し、3D NORフラッシュは密度を8倍に向上させ、単一のダイで512Mビットを達成する。また、200MHzのDTR（Double Transfer Rate）を採用し、大量データへの高速アクセスが必要なAIアプリケーション向けに、高速データ伝送を提供する。

3D NORフラッシュメモリの構造［クリックで拡大］ 出所：Infineon Technology

　しかし、3D NORフラッシュは新時代の大容量組み込みストレージとして期待される一方で、幅広い規模での実用化はまだ何年も先になる見込みだ。特に現在では、大手メモリメーカーがNORフラッシュ技術への投資を行っていないということもある。

　大手サプライヤーであるMacronixは、2026年後半には3D NORフラッシュデバイスのサンプル出荷を開始し、2027年には本格量産を予定しているという。業界はそれまでは、2D NORフラッシュの供給危機に対応しなければならない。NORフラッシュは、DRAMやNANDと比べると規模が小さい分野だが、AI設計における需要の急増や、HBM需要の増大による生産能力の大規模な再編などを受け、注目すべきメモリ技術の1つとなっている。

【翻訳：田中留美、編集：EE Times Japan】

原文へのリンク