中国の「猛烈なキャッチアップ」 なぜ可能なのか：電子機器設計／組み込み開発メルマガ 編集後記

「数十年前の日本」なのかもしれません。

[村尾麻悠子，EE Times Japan]

　この記事は、2026年4月6日発行の「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」に掲載されたEE Times Japan／EDN Japanの編集担当者による編集後記の転載です。

※この記事は、「電子機器設計／組み込み開発 メールマガジン」をお申し込みになると無料で閲覧できます。

中国の「猛烈なキャッチアップ」　なぜ可能なのか

　最近、半導体／エレクトロニクスのあらゆる分野の取材において、中国の技術進化の速さが話題になります。もちろん、この指摘自体は全く目新しいものではありません。より正しく表現するならば「中国の勢いは確かにすごいが、まだ遅れている」とされてきた領域でのキャッチアップが、一気に加速しているのです。

　その筆頭に挙げられるのが次世代パワー半導体、とりわけ炭化ケイ素（SiC）です。筆者は、このコラムを書いている4月3日の金曜日に、まさに中国のSiC技術について取材をしたのですが、その進展は目を見張るものでした（詳細は後日掲載します）。同様の動きは、半導体プロセス技術や半導体製造装置、AI、電気自動車、ロボットまで、幅広い分野でみられます。

　では、この猛烈なキャッチアップを可能にしているのは何なのでしょうか。国をあげての支援と豊富な人材（エンジニアの数）はよく指摘されますが、取材で何度も耳にしたのは、極めてシンプルな理由でした。