リンテックが研究センター新設、先端半導体向け新規材料開発を強化：量産ラインに近い評価環境を構築

リンテックは、さいたま市の研究所先端技術棟に研究施設「アドバンストディベロップメントセンター」を新設した。AI向けなど先端半導体デバイス用の新規材料やプロセス技術の開発体制を強化する。

[馬本隆綱，EE Times Japan]

「共創型研究開発」を推進する拠点としても活用

　リンテックは2026年6月8日、さいたま市の研究所先端技術棟に研究施設「アドバンストディベロップメントセンター」を新設したと発表した。AI向けなど先端半導体デバイス用の新規材料やプロセス技術の開発体制を強化する。

研究所先端技術棟の外観［クリックで拡大］ 出所：リンテック

　広帯域メモリ（HBM）やロジックを含む最先端の半導体デバイスでは、複数のチップを高密度に実装・積層するチップレット技術の採用が進む。特に、接着剤を使わずにチップ同士を直接接合するハイブリッドボンディング技術などへの期待が高まる。ただ、直接接合を行う際には、わずかな汚染や残渣が歩留まりや信頼性に影響するため、製造工程では適切な管理を行う必要がある。

　これらの課題を解決するため同社は、総額約16億円を投じてアドバンストディベロップメントセンターを新設した。同センターの総床面積は158m²で、ISOクラス5および、クラス7のクリーンルーム環境を備えている。

　この施設に同社製の各種装置の他、高精度で高平滑のグラインダー、グルービングレーザー、ダイサーなどの装置を設置した。これにより、HBM向けなど低汚染や低残渣が求められる半導体関連テープを含む材料や製造プロセスについて、量産ラインに近い条件で評価することが可能となった。

　リンテックは外部の研究機関や企業と協力し、新規の技術開発を進めている。ダイレクトトランスファーボンディング（DTB）に必要な材料やプロセス技術の開発もその1つだ。こうした「共創型研究開発」を推進するための拠点としても同センターを活用していく。