レゾナック、高純度フッ化水素ガスの製造体制強化:26年内に徳山事業所で製造開始
レゾナックは、半導体回路のエッチング工程で用いられる高純度フッ化水素ガス(HFガス)の製造体制を強化する。2026年内に徳山事業所(山口県周南市)で製造を始める。これにより、同社のHFガス国内製造拠点は川崎事業所との2拠点体制となる。
レゾナックは2026年6月、半導体回路のエッチング工程で用いられる高純度フッ化水素ガス(HFガス)の製造体制を強化すると発表した。2026年内に徳山事業所(山口県周南市)で製造を始める。これによってHFガスの国内製造拠点は川崎事業所との2拠点体制になる。
高純度ガスは、半導体ウエハーの回路形成に用いられる材料だ。近年は、データセンターやAI用途での需要拡大を背景に、AI向け半導体デバイスでは半導体チップを積層した3次元構造の採用が進んでいる。このため、従来に比べ深くて滑らかな微細構造を高い精度で形成する必要がある。
ここで注目されているのがクライオエッチング技術だ。ウエハーを極低温に冷却した状態でエッチングを行う。これにより、側壁を保護しながら加工できる。HFガスは、このエッチングプロセスにおいて、酸化膜の除去などに用いられる。しかも、クライオエッチングでは、高純度の材料を安定的に供給することが求められているという。
こうした状況を踏まえ、徳山事業所でもHFガスの製造を始めることにした。これによって、需要が拡大しても安定供給が行えるよう、製造能力を高めていく。
レゾナック26年1Qは126.4%増益 後工程材料が絶好調
レゾナックは2026年5月13日、2026年12月期第1四半期(2026年1〜3月)の決算を発表した。売上高は3079億円で前年同期比4.1%減、営業利益(国際会計基準[IFRS]ではコア営業利益)は336億円で同126.4%増、純利益は153億円で同74.6%増だった。減収も半導体・電子材料の好調やケミカルの赤字縮小などで増益した。
レゾナックがハードディスクメディアの生産能力拡大
レゾナックが、ハードディスクメディアの生産能力を拡大する。シンガポールの生産拠点を中核として、2027年以降に生産ラインを順次立ち上げる。これらの投資により、年間生産能力は約2億1000万枚規模となり、現在の1億6000万枚より31%増える。
GAFAM半導体開発に寄与 レゾナックが「米国初」後工程特化R&D開設
レゾナックは2026年4月21日、日米の半導体材料/装置メーカー12社によるコンソーシアム「US-JOINT」のR&Dセンターを米国シリコンバレーに開設し、コンソーシアムの本格稼働開始を発表した。「米国初」の後工程特化R&Dセンターで、シリコンバレー企業の後工程コンセプト検証を6カ月から最大1カ月に短縮することを目指すという。
レゾナック25年度、AI追い風に半導体材料が47%増益
レゾナックは2026年2月13日、2025年12月期通期の決算を発表した。半導体・電子材料領域は大幅に増収し営業利益も四半期単位、年単位ともに過去最高益を達成した一方、ほか領域の減収により全体の売上高は1兆3471億円で前年度比3.2%減、営業利益は半導体・電子材料領域のけん引により1091億円で同18.4%増になった。
レゾナック、半導体に重点投資 「30年までに売上比率50%超へ」
レゾナックは2026年2月13日、2025年12月期通期の決算を発表し、今後半導体・電子材料領域を中核として位置付けると表明した。AI需要を受けて後工程材料の年平均成長率(CAGR)は25〜50%と大幅成長が期待されるという。
レゾナック主導「JOINT2」が大詰め 26年は140mm角基板に集中
レゾナックは「SEMICON Japan 2025」に出展し、実施中のコンソーシアム「JOINT2」「JOINT3」などを紹介した。2026年7月に終了するJOINT2について、3つの事業項目の進捗具合を語った。
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